光束是通過透明電極或電極之間進入半導體的EP1C12F256I7N 所激發(fā)出來的光電子數(shù)與光強有關(guān)，也與積分時間長短有關(guān)，于是光強分布圖就變成CCD勢阱中光電子電荷分布圖。積分完畢后，電極上的電壓變成三相重疊的快速脈沖，把電荷包依次從輸出端讀出。在讀出過程中，光依然照在CCD上，這就有新的光生電子摻入使讀出數(shù)據(jù)失真。因此實際結(jié)構(gòu)是把光敏的CCD和讀出的移位寄存器分開，其具體形式有兩種：單溝道線型和雙溝道線型。

   單溝道線型

   如圖4 - 41所示為單溝道線型ICCD的結(jié)構(gòu)圖。

   由圖可見，其光敏陣列與轉(zhuǎn)移區(qū)——移位寄存器是分開的，移位寄存器被遮擋。ICCD也可用三相時鐘脈沖驅(qū)動。這種器件在光積分周期tINT里，光敏區(qū)在光的作用下產(chǎn)生光生電荷，存于由柵極直流電壓形成的光敏MOS電容勢阱中，當轉(zhuǎn)移脈沖咖，到來時，線陣光敏陣列勢阱中的信號電荷并行轉(zhuǎn)移到CCD穆位寄存器中，最后在時鐘脈沖的作用下，一位一位地移出器件，形成視頻信號。這種結(jié)構(gòu)的CCD的轉(zhuǎn)移次數(shù)多，轉(zhuǎn)移效率低，只適用于像敏單元較少的攝像器件。