電位器的失效分析
發(fā)布時間:2015/6/28 19:53:27 訪問次數(shù):979
從前面的介紹中知，MCF5271CAB100線繞或非線繞電位器共同的失效模式有：參數(shù)漂移、開路、短路、接觸不良、動噪聲大、機(jī)械損傷等，但是，實(shí)際數(shù)據(jù)表明，試驗(yàn)室試驗(yàn)與現(xiàn)場使用之間主要的失效模式差異較大。表5.3列出了它們之間的失效模式分布百分比數(shù)據(jù)。
表5.3 電位器在試驗(yàn)室與現(xiàn)場使用中的失效模式分布
從前面的介紹中知，MCF5271CAB100線繞或非線繞電位器共同的失效模式有：參數(shù)漂移、開路、短路、接觸不良、動噪聲大、機(jī)械損傷等，但是，實(shí)際數(shù)據(jù)表明，試驗(yàn)室試驗(yàn)與現(xiàn)場使用之間主要的失效模式差異較大。表5.3列出了它們之間的失效模式分布百分比數(shù)據(jù)。
表5.3 電位器在試驗(yàn)室與現(xiàn)場使用中的失效模式分布
上一篇：金屬膜電阻器的失效分析
上一篇：參數(shù)漂移或阻值超差
相關(guān)技術(shù)資料- 6-28電位器的失效分析
熱門點(diǎn)擊
- 三線陣CCD相機(jī)的立體測繪原理
- 空氣介質(zhì)可變電容器
- 狹縫式色散成像光譜儀原理
- 經(jīng)緯儀的誤差來源
- 成像光譜儀的光譜定標(biāo)
- 轉(zhuǎn)像系統(tǒng)的設(shè)計(jì)
- 鋅汞電池
- 靈敏杠桿杠桿比的確定
- 氣體傳感器的計(jì)算方法與校準(zhǔn)方法
- 機(jī)構(gòu)傳遞運(yùn)動的過程及其基本傳遞公式
推薦技術(shù)資料
- 單片機(jī)版光立方的制作
- N視頻: http://v.youku.comN_sh... [詳細(xì)]
- 車載顯示技術(shù)AR
- 2 納米工藝 A18 Pro 芯片參數(shù)技術(shù)應(yīng)
- 新一代 HBM3/HBM3e
- NAND FLASH控制器芯片
- SoC芯片架構(gòu)設(shè)計(jì)
- 嵌入式存儲芯片PPI Nand
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究
公網(wǎng)安備44030402000607
