(1)高頻陶瓷電容器

   按國(guó)際電工委員會(huì)(International Electrotechnical Commission，IEC)標(biāo)準(zhǔn)，N01LK001陶瓷電容器分為I型、Ⅱ型、Ⅲ型三大類。高頻陶瓷電容器(CC)是I型陶瓷電容器，又稱陶瓷電容器溫度補(bǔ)償型（T/C型，或Class-l型），其容量的溫度特性及高頻的介質(zhì)損耗是最主要的性能參數(shù)；電容量范圍為l～lOOOpF，測(cè)試頻率為1MHz;介電常數(shù)小，通常在12～220之間；額定電壓為63～500V;電氣性能穩(wěn)定，基本上不隨溫度、電壓、時(shí)間的改變而變化，屬超穩(wěn)定、低損耗的電容器。常用于對(duì)穩(wěn)定性，可靠性要求較高的高頻、超高頻、甚高頻的電路。

   (2)低頻陶瓷電容器

   低頻陶瓷電容器(CT)是Ⅱ型陶瓷電容器，又稱陶瓷電容器高誘電型（Hi-K型，或Class-2型），材料主體是具有鈣鈦礦型結(jié)構(gòu)的鐵電強(qiáng)介材料，它以介質(zhì)材料的高介電常數(shù)為主要特征，其介電常數(shù)在1000～20000之間；電容量范圍為lOOpF～O. 0471/F，測(cè)試頻率為lkHz;額定電壓為50～100V;電氣性能較穩(wěn)定，但是在頻率超過一定范圍時(shí)電容量的衰減幅度很大；低頻陶瓷電容器的特點(diǎn)是體積小、價(jià)廉、損耗大、穩(wěn)定性差，因此主要適用于隔直、耦合、旁路和濾波電路及對(duì)可靠性要求較高的中、低頻電路。

   (3)半導(dǎo)體陶瓷電容器

   半導(dǎo)體陶瓷電容器(CS)是Ⅲ型陶瓷電容器，又稱為陶瓷電容器半導(dǎo)體型（S/C型，或Class-3型），主要有晶界型(BLC)和表面型(SLC)兩大系列，其制作工藝有別于I型、Ⅱ型陶瓷電容器，是一類利用特殊的微觀結(jié)構(gòu)（晶粒及瓷體半導(dǎo)體，晶界或表面絕緣化）來獲取巨大的宏觀介電效率的高性能陶瓷電容器。其中表面型電容器工藝性好、成本低，得到廣泛使用，它以特別高的表觀介電常數(shù)為主要特征，高達(dá)150000以上；電容量范圍為0. 01—0. 33ruF。半導(dǎo)體陶瓷電容器適合制作系列化高比容電容器，特別有利于電子整機(jī)的小型化設(shè)計(jì)，在很多領(lǐng)域取代Ⅱ型陶瓷電容器。廣泛應(yīng)用于對(duì)容量穩(wěn)定性和損耗要求不高的場(chǎng)合。