擊穿失效
發(fā)布時間:2015/6/29 21:52:02 訪問次數(shù):564
固體鉭電解電容器的介質(zhì)氧化膜五氧化二鉭(Ta。O。),由于原材料不純或工藝中的原因而存在雜質(zhì)、裂紋、孔洞等疵點(diǎn)和缺陷,雖然鉭塊在高溫?zé)Y(jié)時,M27C2001-15C1大部分被燒毀或蒸發(fā)掉,但仍有少量存在。在賦能、老練過程中,這些疵點(diǎn)在電壓、溫度的作用下成為場致晶化的發(fā)源地——晶核,在長期作用下,促使介質(zhì)膜以較快的速度發(fā)生物理、化學(xué)變化,也就是應(yīng)力的積累,到一定時候引起介質(zhì)的局部擊穿和過熱。例如,在一定溫度下(425~450℃)因Mn0。的熱分解還原成電阻系數(shù)較大的Mn。O。和新生態(tài)氧而得到自愈;如果溫度更高(550~800℃)無定形的介質(zhì)氧化膜還會轉(zhuǎn)變成介電性能很差的結(jié)晶型氧化膜,通常把此轉(zhuǎn)變稱為熱致晶化。如果介質(zhì)中含有雜質(zhì),在強(qiáng)電場的作用下,即使在比較低的溫度下(例如,在O~100℃)也能出現(xiàn)晶化,把此稱為場致晶化。當(dāng)介質(zhì)中因工藝原因已出現(xiàn)晶核,則在電場和溫度作用下,晶區(qū)不斷擴(kuò)大,而形成晶化的氧化膜,從而導(dǎo)致漏電流急劇增大而擊穿。
進(jìn)一步分祈發(fā)現(xiàn):這些晶化的氧化物還包含由鉭、錳共融結(jié)晶形成的黑色物質(zhì)。此外,當(dāng)介質(zhì)氧化膜中的缺陷部位較大而集中時,一旦發(fā)生瞬時擊穿,則很大的短路電流將使產(chǎn)品迅速過熱而失去熱平衡,局部的自愈已無法修補(bǔ)氧化膜,從而導(dǎo)致迅速擊穿失效。
固體鉭電解電容器的介質(zhì)氧化膜五氧化二鉭(Ta。O。),由于原材料不純或工藝中的原因而存在雜質(zhì)、裂紋、孔洞等疵點(diǎn)和缺陷,雖然鉭塊在高溫?zé)Y(jié)時,M27C2001-15C1大部分被燒毀或蒸發(fā)掉,但仍有少量存在。在賦能、老練過程中,這些疵點(diǎn)在電壓、溫度的作用下成為場致晶化的發(fā)源地——晶核,在長期作用下,促使介質(zhì)膜以較快的速度發(fā)生物理、化學(xué)變化,也就是應(yīng)力的積累,到一定時候引起介質(zhì)的局部擊穿和過熱。例如,在一定溫度下(425~450℃)因Mn0。的熱分解還原成電阻系數(shù)較大的Mn。O。和新生態(tài)氧而得到自愈;如果溫度更高(550~800℃)無定形的介質(zhì)氧化膜還會轉(zhuǎn)變成介電性能很差的結(jié)晶型氧化膜,通常把此轉(zhuǎn)變稱為熱致晶化。如果介質(zhì)中含有雜質(zhì),在強(qiáng)電場的作用下,即使在比較低的溫度下(例如,在O~100℃)也能出現(xiàn)晶化,把此稱為場致晶化。當(dāng)介質(zhì)中因工藝原因已出現(xiàn)晶核,則在電場和溫度作用下,晶區(qū)不斷擴(kuò)大,而形成晶化的氧化膜,從而導(dǎo)致漏電流急劇增大而擊穿。
進(jìn)一步分祈發(fā)現(xiàn):這些晶化的氧化物還包含由鉭、錳共融結(jié)晶形成的黑色物質(zhì)。此外,當(dāng)介質(zhì)氧化膜中的缺陷部位較大而集中時,一旦發(fā)生瞬時擊穿,則很大的短路電流將使產(chǎn)品迅速過熱而失去熱平衡,局部的自愈已無法修補(bǔ)氧化膜,從而導(dǎo)致迅速擊穿失效。
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