當(dāng)測(cè)量小功率超高頻晶體管CG36的發(fā)射結(jié)反向擊穿電壓BVEBO時(shí)，若所加 DS1302Z+T反向電流ICBO大于ImA，將使其小電流下的電流放大系數(shù)矗FE明顯下降。測(cè)量時(shí)，持續(xù)時(shí)間越長(zhǎng)，或者所加ICBO越大，則^FE衰減量越大。在ICBO一lOmA，持續(xù)時(shí)間為5s時(shí)，^FE將減少50%左右。如果^ FE衰退不嚴(yán)重，則衰退后經(jīng)過電功率老化，可能^FE會(huì)變大而復(fù)原。如CG36，當(dāng)hFE降低量小于30%時(shí)，進(jìn)行l(wèi)OOmW滿功率電老化48小時(shí)后，^FE可基本復(fù)原。但這種

器件在以后的長(zhǎng)期工作期間，hFE穩(wěn)定性很差。對(duì)于淺結(jié)超高頻晶體管，特別容易出現(xiàn)這種矗FE衰退現(xiàn)象。

   習(xí)題

   1．對(duì)比化學(xué)電池和物理電池的優(yōu)缺點(diǎn)。

   2．簡(jiǎn)述太陽電池的工作原理。

   3．電子元器件在焊接中應(yīng)注意的事項(xiàng)有哪些？

   4．從電子市場(chǎng)上結(jié)合實(shí)際，討論電子元器件在運(yùn)輸、儲(chǔ)存等過程中的可靠性措施。