絕緣門(mén)極雙極晶體管簡(jiǎn)稱IGBT，將MOSFET和GTR的優(yōu)點(diǎn)集于一身，既具有輸入阻抗高、速度快、R27V1652D熱穩(wěn)定性好和驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單的特點(diǎn)，又具有通態(tài)電壓低、耐壓高和承受電流大等優(yōu)點(diǎn)，因此發(fā)展很快，備受青睞。在電動(dòng)機(jī)控制、中頻和開(kāi)關(guān)電源以及要求快速、低損耗的領(lǐng)域，IGBT有取代功率MOSFET和GTR的趨勢(shì)。

   IGBT的開(kāi)通和關(guān)斷是由門(mén)極電壓來(lái)控制的。門(mén)極施以正電壓時(shí)，MOSFET內(nèi)形成溝道，并為PNP晶體管提供基極電流，從而使IGBT導(dǎo)通。在門(mén)極上施以負(fù)電壓時(shí)，MOSFET內(nèi)的溝道消失，PNP晶體管的基極電流被切斷，IGBT即為關(guān)斷。

   圖8-7為絕緣門(mén)極雙極晶體管IGBT的IXGH25N100屯路符號(hào)和外形。

   IGBT的非在路檢測(cè)用數(shù)字萬(wàn)用表的“二極管”擋來(lái)測(cè)量PN結(jié)正向壓降進(jìn)行判斷。對(duì)于數(shù)字萬(wàn)用表，正常情況下，IGBT管的C-E極間正向壓降約為0.5V，表筆連接除圖中所示外，其他連接檢測(cè)的讀數(shù)均為無(wú)窮大，如圖8-8所示。如果測(cè)得IGBT管三個(gè)引腳間電阻均很小，則說(shuō)明該管已擊穿損壞；若測(cè)得IGBT管三個(gè)引腳間電阻均為無(wú)窮大，說(shuō)明該管已開(kāi)路損壞。實(shí)際工作中IGBT管多為擊穿損壞。