這種傳感器的缺點(diǎn)也很明顯， M24C16-WDW6TP表現(xiàn)在CCD圖像傳感器不能提供隨機(jī)訪問，影響了成像速度；需要復(fù)雜的時(shí)鐘芯片，制造成本高；輔助功能電路難以與CCD集成到一塊芯片上，造成CCD大多需要三種電源供電，功耗大、體積大。

   與CCD相比，CMOS圖像傳感器具有以下優(yōu)點(diǎn)：

   1)系統(tǒng)集成。CMOS圖像傳感器能在同一個(gè)芯片上集成各種信號(hào)和圖像處理模塊，如運(yùn)放器、A/D轉(zhuǎn)換、數(shù)字彩色處理和數(shù)據(jù)壓縮電路、標(biāo)準(zhǔn)TV和計(jì)算機(jī)I/O接口等，形成單片成像系統(tǒng)。

   2)功耗低。CMOS圖像傳感器只需單一電壓供電，靜態(tài)功耗幾乎為零，其功耗僅相當(dāng)于CCD的1/8，有利于延長便攜式、機(jī)載或星載電子設(shè)備的使用時(shí)間。

   3)成像速度快。CCD采用串行連續(xù)掃描的工作方式，必須一次性讀出整行或整列的圖像，CMOS圖像傳感器可以在每個(gè)像素掃描的基礎(chǔ)上同時(shí)進(jìn)行信號(hào)放大。

   4)響應(yīng)范圍寬。CMOS圖像傳感芯片除了可惑應(yīng)到可見光外，對(duì)紅外等非可見光波也有反應(yīng)。在890。980nm范圍內(nèi)，其靈敏度比CCD圖像傳感芯片的靈敏度要高出許多，并且隨波長增加而衰減的梯度也較慢。目前設(shè)計(jì)制造出的對(duì)波長為1~ 3ym可見光都敏感的

CMOS圖像傳感芯片，已在夜戰(zhàn)和夜間監(jiān)控上得到了廣泛的應(yīng)用。

   5)抗輻射能力強(qiáng)。由于CCD的像素的影響由MOS電容構(gòu)成，電荷激發(fā)的量子效應(yīng)易受輻射的影響，而CMOS圖像傳感器的像素由光電二極管或光柵構(gòu)成，抗輻射能力比CCD大十多倍。