集成電路的牛產(chǎn)從拋光硅片的下料開始的硅柵MOS晶體管結(jié)構(gòu)所需要的基礎(chǔ)r藝截面圖按順序展示廠構(gòu)成一個簡單每一步r藝生產(chǎn)的說明如F所示.

   第1步：薄膜工藝。對晶圓STM32F103VCT6表面的氧化會形成一層保護薄膜，它可作為摻雜的阻擋層．這層二氧化硅膜被稱為場氧化層( field oxide)，、

   第2步：圖形化工藝。通過光刻、刻蝕、去膠工藝，在場氧化層上開凹孔以定義晶體管的源極、柵極和漏極的特定位置。，

   第3步：薄膜工藝。接下來，晶圓將經(jīng)過二氧化硅氧化反應加工。晶圓暴露的硅表面會生長一層氧化薄膜。它可作為柵極氧化層。

   第4步：薄膜工藝。在這一一步，晶圓上淀積一層多晶硅作為柵極結(jié)構(gòu)。

   第5步：圖形化工藝。通過光刻工藝，在氧化層／多晶硅層按電路圖形刻蝕兩個開口，它們定義了晶體管的源極和漏極區(qū)域。

   第6步：摻雜工藝。摻雜加工用于在源極和漏極區(qū)域形成N型。

   第7步：薄膜工藝。在源極和漏極區(qū)域生長一層氧化膜。

   第8步：圖形化工藝。通過光刻、刻蝕和去膠工藝，分別在源極、柵極和漏極區(qū)域刻蝕形成的孑L，稱為接觸孑L。

   第9步：薄膜工藝。在整個晶圓的表面沉積一層導電金屬，該金屬通常是鋁的合金。

   第10步：圖形化工藝。通過光刻、刻蝕和去膠工藝，晶圓表面金屬鍍層在芯片和劃片線上的部分按照電路圖形除去。金屬膜剩下的部分將芯片的每個元件準碲無誤地按照設計要求互相連接起來。

   第11步：熱處理工藝。緊隨金屬刻蝕加工后，晶圓將在氮氣環(huán)境下經(jīng)歷加熱工藝、，此步加工的目的是使金屬與源、漏、柵極進一步熔合以獲得更好的電性接觸連接。

   第12步：薄膜工藝。芯片器件上的最后一層是保護層，通常被稱為防刮層( scratch layer)或鈍化層( passivation layer)。它的用途是使芯片表面的元件在電測、封裝及使用時得到保護。

   笫13步：圖形化工藝。通過光刻、刻蝕和去膠工藝，在整個工藝加工序列的最后一步是將位于芯片周邊金屬引線壓點上的鈍化層刻蝕掉。這一步被稱為壓點掩膜( pad mask).