干法清洗：關(guān)于濕浸泡的方法已引起人們的興趣，以及開RT9167A-25GB發(fā)蒸氣( vapor)或氣相(gaS-phase)清洗的思考對(duì)f清洗，晶圓暴露在清洗液或刻蝕液的蒸氣中。氫氟酸／水的混合蒸氣經(jīng)證實(shí)叮用來去除氧化物，以過氧化物為基礎(chǔ)的清洗液的氣相取代物也已存在39。

   這-藝最終的夢(mèng)想是完全的干法清洗和干法刻蝕。目蒔，干法刻蝕（等離子體，見第9章）已經(jīng)很完善地建立起來了．f法清洗正在發(fā)展之中。紫外( uv)臭氧可以氧化并光學(xué)分離晶片表面形成的污染物，．

   低溫清洗：高壓的二氧化碳( C02)或雪清洗( snc)w  cleaning)是一種新興的技術(shù)（見圖5. 29）  CO，從一個(gè)噴嘴中直接噴到晶圓

表嘶、與氣體從噴嘴中噴出時(shí)，其壓力下降從而導(dǎo)致快速冷卻，然后形成C0。顆粒，或叫做雪花。相巨撞擊顆粒的壓力驅(qū)散表面

的顆粒并由氣流將其攜帶走。表面的物理撞擊提供r-種清洗作用。氬氣的噴霧是另外一種低溫清洗，、氬氣相對(duì)較重。它的圖5. 29  二氧化碳“雪”清洗（經(jīng)Walter Krrn許可）較大原子在壓力下直噴到晶片表面可以除去顆粒。

   一種結(jié)合了氧氣和氬氣的綜合方法，稱為低溫動(dòng)力( Cryokinetic)法。在壓力下將氣體預(yù)冷使其形成液氣混合物并流入一個(gè)真空反應(yīng)室中。在反應(yīng)室中，液體迅速膨脹形成極微小的結(jié)晶將顆粒從晶片表面擊走州1。