從另一個角度講，感應(yīng)現(xiàn)象就是MOS技術(shù)。在一個MOS晶體管中，K4H561638H-UCB3柵極區(qū)會長一層薄的二氧化硅（見圖7.4）。如果柵上沒有電荷，在源漏之間沒有電流流過（見第16章）。但是有了合適的電荷，在柵下面區(qū)域感應(yīng)出電荷，這樣允許在源漏之間流過電流。氧化層起到介電質(zhì)的功能，它的厚度是專門選定的，用來讓氧化層下面柵極區(qū)產(chǎn)生感應(yīng)電荷。柵極是器件中控制電流的都分（見第】6章）。甚大規(guī)模集成電路( ULSI)中占主導(dǎo)地位的MOS技術(shù)，使得柵極的形成成為工藝發(fā)展中關(guān)注的焦點。通常還有其他介質(zhì)材料淀積在柵區(qū)的薄氧化層上。這些組合稱為疊層?xùn)? gate stack)，具有不同的介電常數(shù)，它能改變晶體管的電性能。熱生成

的氧化層也町用來做硅晶圓表面和導(dǎo)電表面之間形成的電容所需的介電質(zhì)（見圖7.5）。

   圖7.4  ■氧化硅作為場氧化層和MOS的柵氧化層    圖7.5  在固態(tài)電容里的二氧化硅層二氧化硅介電層還用在兩層或多層金屬層的結(jié)構(gòu)中。在這種應(yīng)用里，二氧化硅層用化學(xué)氣相淀積( CVD)的方法而不是用熱氧化的方法形成（見第12章）。