駐波
發(fā)布時(shí)間:2015/11/3 20:05:33 訪問(wèn)次數(shù):1866
在10.5.2節(jié)已提到理想的曝光狀態(tài)應(yīng)該是輻射光波與晶圓表面成900角直接照射。NCP305LSQ28T1如果只考慮反射現(xiàn)象，上面這句話足對(duì)的。然而，垂直照射會(huì)引起另外一個(gè)問(wèn)題，那就是駐波。，當(dāng)光線從晶圓表面反射回光刻膠時(shí)，反射光線會(huì)與入射光線發(fā)生相長(zhǎng)干涉或相消干涉現(xiàn)象，從而形成能量變化區(qū)（見(jiàn)圖10. 24）。顯影后，形成波紋側(cè)墻和分辨率的損失。有許多辦法町以改善駐波問(wèn)題，包括在光刻膠中添加染色劑和分別將防反射涂層直接涂在晶圓表面。大多數(shù)正膠工藝都在光刻膠顯影前加入曝光后烘焙( PEB)。烘焙的目的是減少駐波對(duì)圖形側(cè)墻的影響。
在10.5.2節(jié)已提到理想的曝光狀態(tài)應(yīng)該是輻射光波與晶圓表面成900角直接照射。NCP305LSQ28T1如果只考慮反射現(xiàn)象，上面這句話足對(duì)的。然而，垂直照射會(huì)引起另外一個(gè)問(wèn)題，那就是駐波。，當(dāng)光線從晶圓表面反射回光刻膠時(shí)，反射光線會(huì)與入射光線發(fā)生相長(zhǎng)干涉或相消干涉現(xiàn)象，從而形成能量變化區(qū)（見(jiàn)圖10. 24）。顯影后，形成波紋側(cè)墻和分辨率的損失。有許多辦法町以改善駐波問(wèn)題，包括在光刻膠中添加染色劑和分別將防反射涂層直接涂在晶圓表面。大多數(shù)正膠工藝都在光刻膠顯影前加入曝光后烘焙( PEB)。烘焙的目的是減少駐波對(duì)圖形側(cè)墻的影響。
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