首先被廣泛采用的CVD是在雙極型器件中硅外延膜的淀積。基本系統(tǒng)的設(shè)計(jì)仍在使用（9L/圖12. 11），基本上是一個(gè)水平爐管式的G548B2P1UF反應(yīng)爐，但有些顯著的差別。首先，爐管有一個(gè)方形的截面。然而，主要的區(qū)別還在于加熱的方法和晶圓的托架結(jié)構(gòu)。

   晶圓被排放在一個(gè)扁平的石墨層板上，并放置在爐管內(nèi)。爐管上纏繞著與射頻發(fā)生器連接的銅線圈。線圈內(nèi)傳輸?shù)纳漕l流經(jīng)石英管和管內(nèi)未被加熱的流動(dòng)氣體傳播，此為冷壁系統(tǒng)。．當(dāng)射頻傳播至石墨托架時(shí)，與石墨托架的分子耦合反應(yīng)，引起石墨的度升高。這種加熱方法稱為感應(yīng)( induction)式。

   托架的熱量以傳導(dǎo)的方式輸送給晶圓，薄膜淀積在晶圓的表面（托架表面也同時(shí)被淀積）。該系統(tǒng)存在的一個(gè)問題是，在橫向流動(dòng)的氣流中伴隨著氣流的向下流動(dòng)。系統(tǒng)需要的是層流氣流，這樣有利于減小渦流。但是，如果晶圓被平放在反應(yīng)室內(nèi)，接近晶圓表面的氣流由于反f、\而被損耗，從而導(dǎo)致沿托架方向淀積的薄膜逐漸變薄。該問題可以通過調(diào)整石英晶圓托架的傾斜度得到改善（見圖12. 12）。