IGBT的種類有哪些？

   答：絕緣柵雙極晶體AD795JR管根據(jù)其結(jié)構(gòu)主要分為N溝道IGBT和P溝道IGBT管兩大類。

   IGBT的開關(guān)損耗與MOSFET相比有什么不同？

   答：開關(guān)損耗主要包括關(guān)斷時的損耗（關(guān)斷損耗）和開通時的損耗（開通損耗）。在常溫下，IGBT和MOSFET的關(guān)斷損耗差不多。IGBT開通損耗的平均值比MOSFET咯小。MOSFET的開通損耗與溫度關(guān)系不大，而對于IGBT，溫度每增加100℃，損耗增加2倍。兩種器件的開關(guān)損耗與電流相關(guān)，電流越大，損耗越高。

   IGBT的電路圖形符號怎么識別？

   答：絕緣柵雙極晶體管的電路符號如圖2- 19 (a)和(b)所示，由于大功率IGBT管內(nèi)部C、E極間通常內(nèi)接快恢復(fù)二極管FRD，故這類晶體管子的電路圖形符號如圖2-19 (c)和圖2-19 (d)所示。IGBT有三個電極，其中G為柵極，C為集電極，E為發(fā)射極。

   什么是IGBT的集電極與發(fā)射極間的額定電壓？

   答：集電極與發(fā)射極間額定電壓是指IGBT管在截止?fàn)顟B(tài)下，其集電極與發(fā)射極之間能夠承受的最大電壓，通常采用字母U CFS來表示。

   什么是IGBT的柵極與發(fā)射極之間的額定電壓？

   答：柵極與發(fā)射極之間的額定電壓是指IGBT管柵極與發(fā)射極之間允許施加的最大電壓，通常采用字母U GES來表示。UGEs電壓通常為20V。