1．說明為什么本征光電導器件在微弱的輻射作用下，時間顯影越長，靈敏G1117-33T63UF度越高。

  2．在微弱輻射作用下，光電導材料的光電靈敏度有什么特點？為什么要把光敏電阻制造成蛇形？

   3．對于同一種型號的光敏電阻來說，在不同的光照度和不同環(huán)境下，其光電靈敏度與時問常數(shù)是否相同？為什么？如果照度相同而溫度不同，情況又如何？

   4．已知某光敏電阻在500 lx的光照下阻值為550 Q，而在700 lx的光照下阻值為450 Q。求該光敏電阻在550 lx和600 lx光照下的阻值。

   5．已知本征硅材料的禁帶寬度Eg=1.2 eV，求該半導體材料的本征吸收長波限；已知某種光電器件的本征吸收長波限為1.4 L/m，求該材料的禁帶寬度。．

   6．在如圖4.22所示的照明燈控制電路中，用CdS光敏電阻用做光電傳感器，光敏電阻最大功耗為300 mW，光電導‘靈敏度Sg=0.5×10-6 S／1x，暗電導90=0，若已知繼電器繞組的電阻為5 kQ，繼電器的吸合電流為2 mA，電阻R- lkQ。問：使繼電器吸合所需要的照度E是多少？要使繼電器在照度為3 lx時吸合，應如何調(diào)整電阻R?

   7．利用光敏電阻等器件設計樓梯內(nèi)的節(jié)能燈控制電路及測量應用中的自動增益控制電路。