半導體材料廣泛用做光電子發(fā)射體。由于半導體的能帶結構隨摻雜的數量不同而發(fā)生變化，HFBR-1532ETZ隨引起費米能級的位置發(fā)生變化，因此在半導體中逸出功不再是一個常數。而電子親和勢EA是材料常數，它定義為導帶底的能級Ec與真空能級既卒之差，即E=Efiv - Ec。EA與雜質無關，當EA為正值或E真卒歲艮時，半導體材料具有正的電子親和勢。這時半導體材料與金屬光電子發(fā)射體一樣，為了產生光電子發(fā)射，要求一個光子能量足以將一個電子激發(fā)到高于表面勢壘的能級。由于半導體光電子發(fā)射體比金屬光電子發(fā)射體需要的光激發(fā)能量小，因此，半導體光電子發(fā)射體的光譜響應可擴展到近紅外波段。

   當E為負值或Er4tt<Ec時，半導體材料具有負的電子親和勢。在這種半導體內，如果激發(fā)到導帶的電子在到達激活表面前未被復合掉，那么它就可離開光電子發(fā)射體。圖6.1所示為金屬光電子發(fā)射體、正電子親和勢半導體光電子發(fā)射體及負電子親和勢半導體光電子發(fā)射體的光電子發(fā)射過程。對于具有負電子親和勢的半導體光電子發(fā)肘體，入射光子的能量只需大于或等于半導體的能隙就能產生光電子發(fā)射，因此其光譜響應擴展到近紅外波段，但其

量子效率隨波長的增加而下降。