柵介質(zhì)按照擊穿時的情況，通常可分為以下兩種。

   1．瞬時擊穿

   電壓一加上去， A16-2電場強(qiáng)度達(dá)到或超過該介質(zhì)材料所能承受的臨界場強(qiáng)，介質(zhì)中流過的電流很大而立即擊穿，這叫本征擊穿。實(shí)際柵氧化層中，某些局部位置厚度較薄，電場增強(qiáng)；也可存在空洞（針孔或盲孔）、裂紋、雜質(zhì)、纖維絲等疵點(diǎn)，它引起氣體放電、電熱分解等情況而產(chǎn)生介質(zhì)漏電甚至擊穿，由于這些缺陷引起的介質(zhì)擊穿叫非本征擊穿。

   2．TDDB

   與時間有關(guān)的介質(zhì)擊穿(Time Dependent Dielectric Breakdown，TDDB)是指施加的電場低于柵氧的本征擊穿場強(qiáng)，并未引起本征擊穿，但經(jīng)歷～定時間后仍發(fā)生了擊穿。這是由于在施加電應(yīng)力的過程中，氧化層內(nèi)產(chǎn)生并積聚了缺陷的緣故。

   柵氧的瞬時擊穿可通過篩選、老化等方法剔除，所以TDDB是本節(jié)討論的中心。

   在氧化層較厚時，柵極材料采用鋁。這時柵氧擊穿有兩種形式。由于鋁的熔點(diǎn)低，且層很薄，柵氧某處擊穿時，生成的熱將擊穿處鋁層蒸發(fā)掉，使有缺陷的擊穿處與其他完好的Si02層隔離開來，這叫自愈式擊穿。