與時間有關(guān)的介質(zhì)擊穿(Time Dependent Dielectric Breakdown，TDDB)是指施加的電場低于柵氧的本征擊穿場強，并未引起本征擊穿，RK3066但經(jīng)歷～定時間后仍發(fā)生了擊穿。這是由于在施加電應(yīng)力的過程中，氧化層內(nèi)產(chǎn)生并積聚了缺陷的緣故。

   柵氧的瞬時擊穿可通過篩選、老化等方法剔除，所以TDDB是本節(jié)討論的中心。

   在氧化層較厚時，柵極材料采用鋁。這時柵氧擊穿有兩種形式。由于鋁的熔點低，且層很薄，柵氧某處擊穿時，生成的熱量將擊穿處鋁層蒸發(fā)掉，使有缺陷的擊穿處與其他完好的Si02層隔離開來，這叫自愈式擊穿。

  另一種是12壞。陛擊穿'鋁徹底侵入氧化層，使氧化層的絕緣作用完全喪失。柵氧較薄時，用自對準工藝，柵電極采用多晶硅材料制作。

   柵氧的擊穿與硅中雜質(zhì)、氧化工藝、柵極材料、施加電場大小及極性等因素有關(guān)，其擊穿百分比與擊穿時施加場強的關(guān)系。擊穿的情況可分為A、B、C三個區(qū)或模式。A區(qū)一般場強在lMV／cm以下，它是由于柵氧中存在針孔BD/mV/cni 

引起的。