統(tǒng)計(jì)（擊穿）模型

   高場下氧化層內(nèi)部產(chǎn)生陷阱。C3225JB1C226KT000N隨著陷阱密度的增加，有更高的電流流過。當(dāng)某個(gè)局部區(qū)域陷阱密度超過某一臨界值時(shí)，觸發(fā)的局部電流密度上升，若沿局部路徑足以促使熱燒毀，即發(fā)生擊穿。據(jù)此提出的統(tǒng)計(jì)（擊穿）模型如圖4. 14所示。氧化層面積為A-LW，厚度為d，氧化層被劃分為N個(gè)面積為n的本征小單元，陷阱隨機(jī)地分布其中，當(dāng)某個(gè)小單元的陷阱數(shù)超過臨界值K時(shí)，引發(fā)該單元擊穿，整個(gè)氧化層燒毀。以及K兩個(gè)可調(diào)整參數(shù)，來描述柵氧的TDDB分布。n表示陷阱的俘獲截面，其值為10 -14 cm2量級。K為10左右，低K值說明氧化物中有缺陷，氧化層的質(zhì)量低；高K值表示將伴隨本征擊穿。不同的以及K值可用來模擬各種TDDB值的分布，其中包括雙模式或多模式分布，預(yù)計(jì)值與文獻(xiàn)中實(shí)測結(jié)果相符。但要確定口及K值如何從應(yīng)力試驗(yàn)中求取，尚有困難，這是使它未能實(shí)用的原因。  ．

   在VISL技術(shù)中，柵氧厚度均在lOnm左右，本模型提出了柵氧擊穿的物理本質(zhì)，有較大的應(yīng)用前景。

   理解了柵氧擊穿的機(jī)理，也就清楚了改進(jìn)措施。如應(yīng)注意控制原材料硅中的C、02等微量雜質(zhì)的含量，在加工工藝中采用各種有效的潔凈措施，防止Na+、灰塵微粒等沾污。熱氧化時(shí)采用二步或三步HCL氧化法：先用高溫低速的方式生長，一層厚度約2nm的

Si()2，使Si-S102界面平整，然后再正常生長S102層�？梢杂肅VD生長S102或摻氮氧化以改進(jìn)柵氧質(zhì)量等。