可根據(jù)需要選擇不同方法沉積氮化硅薄膜
發(fā)布時(shí)間:2016/6/11 17:33:33 訪問(wèn)次數(shù):645
可根據(jù)需要選擇不同方法沉積氮化硅薄膜。當(dāng)作為選擇氧化的掩蔽膜或者作為 DRAM中電容的介質(zhì)層時(shí),AD7892ARZ-3REEL7由于考慮到薄膜的均勻性和工藝成本,氮化硅通常是在中溫(⒛0~8oo℃)下用LPCVD技術(shù)沉積的。當(dāng)用作最終的鈍化層時(shí),沉積工藝必須和低熔點(diǎn)金屬(例如Al)兼容,這時(shí)氮化硅沉積就必須在低溫(⒛0~4oo℃)下進(jìn)行。對(duì)于這種低溫沉積,首選沉積方法是PECVD,因?yàn)樗梢栽?00~鍆0℃溫度下沉積氮化硅薄膜。然而,PECVD氮化硅往往是非化學(xué)配比的,含有相當(dāng)數(shù)量的氫原子(10%~3o%),因此有時(shí)候化學(xué)表示式寫為SidyHz。比較CVD氮化硅的折射系數(shù)和熱生長(zhǎng)氮化硅折射系數(shù),可以很容易地估算出CVD氮化硅薄膜的化學(xué)配比情況,高折射系數(shù)表明薄膜中含硅量多,低折射系數(shù)表明薄膜中含有氧。氮化硅中的氧以si―0形式存在薄膜中,這是由于真空漏氣、氣體受到污染、真空度不高等原因造成的,氧的存在可能會(huì)使刻蝕速率加快。折射系數(shù)通常在1.8~2.2之間,理想的數(shù)值為2,0。
可根據(jù)需要選擇不同方法沉積氮化硅薄膜。當(dāng)作為選擇氧化的掩蔽膜或者作為 DRAM中電容的介質(zhì)層時(shí),AD7892ARZ-3REEL7由于考慮到薄膜的均勻性和工藝成本,氮化硅通常是在中溫(⒛0~8oo℃)下用LPCVD技術(shù)沉積的。當(dāng)用作最終的鈍化層時(shí),沉積工藝必須和低熔點(diǎn)金屬(例如Al)兼容,這時(shí)氮化硅沉積就必須在低溫(⒛0~4oo℃)下進(jìn)行。對(duì)于這種低溫沉積,首選沉積方法是PECVD,因?yàn)樗梢栽?00~鍆0℃溫度下沉積氮化硅薄膜。然而,PECVD氮化硅往往是非化學(xué)配比的,含有相當(dāng)數(shù)量的氫原子(10%~3o%),因此有時(shí)候化學(xué)表示式寫為SidyHz。比較CVD氮化硅的折射系數(shù)和熱生長(zhǎng)氮化硅折射系數(shù),可以很容易地估算出CVD氮化硅薄膜的化學(xué)配比情況,高折射系數(shù)表明薄膜中含硅量多,低折射系數(shù)表明薄膜中含有氧。氮化硅中的氧以si―0形式存在薄膜中,這是由于真空漏氣、氣體受到污染、真空度不高等原因造成的,氧的存在可能會(huì)使刻蝕速率加快。折射系數(shù)通常在1.8~2.2之間,理想的數(shù)值為2,0。
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