NMOS晶體管結(jié)構(gòu)如圖9.1所示,由兩個PN結(jié)和一個MOs電容組成。M0280SJ250柵極下面的區(qū)域是一個電容結(jié)構(gòu),MOs管的「/特性由該電容結(jié)構(gòu)決定。對于增強型NMOS晶體管,當柵極不加電壓或加負電壓時,柵極下面的區(qū)域保持P型導電類型,漏和源之間等效于一對背靠背的二極管。此時,在漏源電極之間加上電源,只有PN結(jié)的漏電流產(chǎn)生。

   圖91 blMOs晶體管的基本結(jié)構(gòu)

   當柵極上加上正電壓時,正的柵電壓將排斥柵下P型襯底中的可動電荷、空穴,吸引電子。當柵極上的電壓超過閾值電壓時,在柵極下方的P型區(qū)域內(nèi)會形成電子的強反型層,把同為N型的源、漏擴散區(qū)連成一體,形成從漏極到源極的導電溝道,產(chǎn)生NMOS晶體管的卜/特性,如圖9.2所示。額定工作條件下,加在柵電極上的正電壓越高,溝道區(qū)的電子濃度越高,導電能力就越好。