si/s⒑2界面處的界面態。界面態是CAP002DG指存在于si/so2界面處而能級位于硅禁帶中的一些分立的或連續的電子能態(能級)。界面態一般分為施主和受主兩種。可以是帶電的,也可以是中性的,依賴于它與費米能級的相對位置。一般由工藝過程引起的本征界面態,其密度在1010~1012c盯2范圍內。另外,輻射和熱載流子注入也可改變界面態的密度。

   s⒑2中的陷阱電荷。當X射線、謝線、電子等能產生電離的射線通過氧化層時,可在so2中產生電子一空穴對。如果氧化物中沒有電場,電子和空穴將復合,不會產生凈電荷。但如果氧化層中存在電場,將會有部分電子和空穴剩余被陷阱捕獲而產生輻射感生陷阱電荷。

   影響氧化層電荷的因素很多。柵氧化后的溫度應低于950℃左右,因為柵氧化后工藝溫度太高、時間太長會使氧化物陷阱電荷密度增大,使s√siα界面附近s⒑2中氧化物空穴陷阱密度增大。柵氧化后退火氣氛一般有兩種,一種是惰性氣體,常用的是N2氣;另一種是所謂的形成氣氛,即含有一定比例H2氣的N2氣的氣體。實驗表明:純N2氣氛退火有較多的氧化物陷阱電荷,而形成氣氛退火時的氧化物陷阱電荷較少,主要原因是H2的存在增加了電子陷阱,從而對空穴陷阱起了補償作用。X射線、澍線等產生的氧化層陷阱電荷會出現飽和現象,產生明顯的空間電荷效應,對產生新的電荷起抑制作用。