圖2.10為單管動態(tài)存儲單元電路示意圖,動態(tài)基本存儲電路是利用MOS管柵極和源極之間ADIS16364BMLZ的極間電容C1來存儲信息的。C1上存有電荷,表示存有信息“l(fā)”,否則就表示存有信息“0”。 雖然MOS管是高阻器件,漏電流小,但漏電流總還是存在的,因此C1上的電荷經(jīng)一段時間后就會泄放掉(一般為2ms),故不能長期保存信息。為了維持動態(tài)存儲電路所存儲的信息,必須使信息再生(即進行刷新)。MOS管Q1作為一個開關,Q2為同一列電路所公用,C0為位線對地的寄生電容,G》C1。

   由于電容CI很小(為0.1~0.2uF),所以讀出的信號很弱,需要進行放大。另外在每次讀出后,由于C1上電荷的損失,原先存儲內容受到破壞(改變),因而還必須把原來信號重新寫入(再生)。

   為了讀出動態(tài)存儲電路的數(shù)據(jù),在讀數(shù)前需要對數(shù)據(jù)線進行預充電。讀出和寫入操作均需按嚴格的定時時序脈沖進行,

因此,動態(tài)RAM芯片內要有時鐘電路。 刷新過程就是先讀出信息(不送到數(shù)據(jù)線上,此時Y選擇線置ω,經(jīng)放大后再傳送給位線,通過寫入操作來完成。由此可見,動態(tài)存儲電路具有集成度高、成本低、功耗低,但由于刷新,需要有較復雜的外圍控制電路,所以只有在構成大容量的存儲系統(tǒng)時(如PC)才有較高的性價比。