類似規(guī)律,Mo源分子的相對分子質(zhì)量越大,熔點或沸點就會越高,而蒸氣壓則越低。 A915AY-101M例如,TMGa和TEGa同為Ga的Mo源,TMGa的相對分子質(zhì)量為114.82,小于TEGa的156,91,其沸點(557℃)則也低于TEGa的沸點(143℃)。在不同金屬MO源中,如相對分子質(zhì)量為114。眨的TMGa蒸氣壓(在⒛℃為⒉3,⒄hPa)比相對分子質(zhì)量為159.93的TMh(⒛℃為2,27hPa)的蒸氣壓高。然而也有表象上的特例:TM川的相對分子質(zhì)量雖為”09,但它的蒸氣壓(在⒛℃為11.6hPa)卻比相對分子質(zhì)量大的TMGa還低。實際的原因是,TMAl在氣相中是以二聚體形態(tài)存在,其相對分子質(zhì)量應(yīng)為1狃,18,大于TMGa的1l4.82,其蒸氣壓低于TMGa就比較好理解了。在系列Mo源中,在相對分子質(zhì)量相近時,有機集團機構(gòu)越復(fù)雜則蒸氣壓越高。此外,液體中分子間的相互作用也強烈地影響蒸氣壓。一般來說,比較高級、分叉較多的分子相互作用比較弱,蒸氣壓也就比較高。

   以上Mo源的各自的穩(wěn)定性及蒸氣壓力特點之間的差異,在實際使用時都會加以考慮,且有針對性地對每種Mo源的源瓶壓力和溫度(水浴槽溫度)甚至源瓶聯(lián)結(jié)組合方式都做個性化設(shè)定。例如,TMGa因其蒸氣壓低,易于揮發(fā),供源效率高,通常其源瓶溫度設(shè)定在一10℃~10℃之間就足以滿足反應(yīng)所需的用量。而且,也因其供源效率高,TMGa目前是快速生長GaN本征層和n型G瘀層的主要Mo源。相應(yīng)的,當需要用很小流量的TMGa生長量子阱等精細結(jié)構(gòu)時,反而會特別設(shè)置雙稀釋管路,以便有節(jié)制地實現(xiàn)小流量精準供應(yīng)。TMAl源瓶溫度如果低于15℃,則其會在源瓶內(nèi)“凍結(jié)”而難以有效供應(yīng)氣源。其源瓶溫度通常設(shè)置在17~25℃之間。