300K時纖鋅礦結構GaN、AlN和InN的基本物理參數團
發布時間:2016/7/31 16:31:08 訪問次數:2335
表2-1列出了GaN、AlN和IhN3種氮化物材料在300K時的參數。對二元以上的Ⅲ族氮化物合金,其晶格常數(完全弛豫狀態)一般采用Vcgard定律來計算。以InxGaljN為例,在不考慮彎曲系數的前提下,ADV7180BCPZ載流子遷移率是決定LED器件性能的關鍵因素之一。從表⒉1中看出,Ⅲ族氮化物半導體材料的空穴遷移率比電子遷移率至少低一個數量級。這會導致LED器件中電子和空穴濃度的分布不對稱,并嚴重影響LED器件的效率c此外,Ⅲ族氮化物常用的p型參雜Mg的熱電離能很高,導致Mg的激活率很低。
表2-1列出了GaN、AlN和IhN3種氮化物材料在300K時的參數。對二元以上的Ⅲ族氮化物合金,其晶格常數(完全弛豫狀態)一般采用Vcgard定律來計算。以InxGaljN為例,在不考慮彎曲系數的前提下,ADV7180BCPZ載流子遷移率是決定LED器件性能的關鍵因素之一。從表⒉1中看出,Ⅲ族氮化物半導體材料的空穴遷移率比電子遷移率至少低一個數量級。這會導致LED器件中電子和空穴濃度的分布不對稱,并嚴重影響LED器件的效率c此外,Ⅲ族氮化物常用的p型參雜Mg的熱電離能很高,導致Mg的激活率很低。
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