當(dāng)x等于0.516時(shí),G‰Inl”P的晶格常數(shù)與GaAs的晶格常數(shù)

相等。 AAT2430AISX-T1同理,A1P與hP材料可以一定的比例混合形成A廴In1.P材料,當(dāng)豸等于0532時(shí),A1InhP的晶格常數(shù)也與GaAs的相等。在實(shí)際工程中,為方便起見,經(jīng)常簡稱Ga05h05P和Al05In05P與GaAs襯底晶格匹配。

   由于Ga05InO5P和AlO5h0`的晶格常數(shù)與GaAs是匹配的,可以預(yù)見,如果以一定的比例讓GaO5In05P和A105h0~sP混合形成(A1GalDo5In0~hP材料,則不論艿在0~1之間如何變化,(AltGa1005ho5P與GaAs的晶格常數(shù)始終是匹配的。在實(shí)際外延工藝中,A1GalInl,vP與GaAs的匹配條件可由下式方便地求得:

   其中,0≤豸≤⒐53。例如,當(dāng)豸=0.l時(shí),廠042,與GaAs襯底匹配的材料為(Alo19GaO:1)052In04:P。

    接下來討論AlGaInP材料的帶隙與組分的關(guān)系。我們先來討論三元系材料A廴Inl”P和G‰In1書P,為方便起見,可以將其統(tǒng)一表示戊Bl”c的形式。戊Bl”C的帶隙寬度可由相應(yīng)的二元系材料的禁帶寬度Eg(AQ和Eg(:Cl插值得到.