研磨拋光工藝流程如圖⒋15所示,其包含上蠟、研磨、拋光、下蠟、清洗等5個主要步驟。 MLV-100D對藍寶石的研磨(grinding)工藝是機械過程,去削速率大,但其對晶片的損傷也大。

   研磨設備有臥式和立式兩種,其工作原理類似,都是用蠟將晶片固定在陶瓷盤或者金屬盤上,然后用砂輪對晶片進行減薄。因為采用研磨工藝減薄的速率快,生產(chǎn)中為了減少成本,縮短時間,所以在實際生產(chǎn)中研磨總是將晶片厚度盡可能的減薄,但是研磨中對藍寶石的

損傷深度一般在15um左右,所以最終要求的晶片厚度值影響著研磨的厚度設定。

   減薄后的藍寶石襯底背面一方面存在表面損傷層,此層藍寶石中有大量的裂紋、暗裂,外表看有明顯劃痕,如圖⒋16所示。另一方面其殘余應力會導致減薄后的晶片翹曲,引起后續(xù)工序中碎裂,因此,必須在減薄后對藍寶石進行拋光(lapping)處理。衡量拋光效果的主要參數(shù)是表面粗糙度[Root Mcan square(RMs)roughness],生產(chǎn)中還要考慮拋光速率(Matcrial Rcmovd Ratc)。影響表面粗糙度和拋光速率的主要因素有轉速、壓力、溫度、拋光液流量、拋光液PH值、拋光介質顆粒的種類,以及粒徑大小、顆粒的濃度、拋光墊

性能等。