因?yàn)樗{(lán)寶石的絕緣性,所以傳統(tǒng)LED的N和P電極都做在芯片出光面的同一側(cè)。P電極由薄的透明導(dǎo)電層和厚的金屬焊盤構(gòu)成。這種結(jié)構(gòu)的P電極位于芯片出光面上,EE80C196KB16因此P電極焊盤金屬擋住了P電極下方的有源層發(fā)出的光,即P電極金屬將下方發(fā)光區(qū)發(fā)出的光大部分被吸收而造成光損失。此結(jié)構(gòu)的另一問題是由于n~GaNˉ層和透明導(dǎo)電層的導(dǎo)電特性(主要是電阻率)不同,會(huì)造成電極周圍電流擁擠⒓",電流擁擠影響發(fā)光均勻性和遠(yuǎn)場發(fā)射的穩(wěn)定性,并且由于局部區(qū)域過高的電流密度引起的電流擁擠會(huì)降低LED的光提取效率u司,也影響LED的可靠性。

   因此在P電極正下方,透明導(dǎo)電層與p-GaN之間做一層絕緣層介質(zhì)(如sio或者si3N4或者Abo3等)充當(dāng)電流阻擋層,如圖5-1所示。電流阻擋層一方面可以起到阻擋電流朝P電極下方擴(kuò)散,減小流向P電極金屬下面有源區(qū)的電流密度,從而減小由于P電極金屬吸光、擋光而造成的光損失;另一方面通過電流阻擋層將電流引導(dǎo)至遠(yuǎn)離P電極的區(qū)域,減小P電極附近電流擁擠,可以提高出光功率。但是在實(shí)踐中發(fā)現(xiàn),由于一方面增加了電流阻擋層使得在有源區(qū)中的電流密度增加,另一方面由于電流阻擋層增加了臺(tái)階、蝕刻不徹底等多方面的原因,一股增加電流阻擋層后在相同的驅(qū)動(dòng)電流下的電壓會(huì)略有升高,其升高的幅度由芯粒的總體面積、CBL的寬度和形狀、電極形狀的設(shè)計(jì)、CBL和ITo的厚度、CBL蝕刻的條件等因素共同決定。