封裝結構的傳導熱量的能力一般用熱阻來衡量,其單位為刀W,1刀W表示當器件熱耗散功率為1W時, AK5353VT器件上的溫降是1°C。大多數(shù)LED封裝產(chǎn)品都采用正面出光的形式,如圖⒎33所示。另一種是倒裝焊芯片結構,如圖⒎34所示。這兩種結構的LED器件的主要熱傳導瓶頸分成幾個主要的部分,即材料的熱阻和3個界面的影響,材料的熱阻主要包括芯片的熱阻,各類熱沉的熱阻,界面主要包括:芯片到熱沉金屬片,熱沉金屬片到PCB板,以及PCB到外部散熱體。

   在上述結構中,各層的熱阻各不相同,大多都有器件的材料特性和結構尺寸所決定,如芯片、襯底的熱阻,封裝工藝中最大的變量是個個連接界面的熱阻,它包括倒裝焊芯片與硅襯底的鍵合界面和芯片與熱沉的連接界面。在此我們討論芯片與熱沉的結合面。通常為給芯片提供良好的機械連接及散熱通道,芯片通過導熱性較好的材料鍵合到一金屬或陶瓷底座上,(這一鍵合的過程通常也稱為固晶或芯片粘接),鍵合材料的選擇及工藝水平?jīng)Q定了芯片襯底到底座的熱阻,這部分熱阻稱為鍵合熱阻。