為減少光子再吸收,p-n結(jié)的p型層較薄
發(fā)布時(shí)間:2016/11/1 20:58:23 訪問(wèn)次數(shù):1025
為減少光子再吸收,p-n結(jié)的p型層較薄,正向偏壓下由n區(qū)擴(kuò)散至p區(qū)的電子容易擴(kuò)散至p區(qū)表面,M4A3-32/32-5VC半導(dǎo)體表面的缺陷密度遠(yuǎn)高于內(nèi)部。這些缺陷導(dǎo)致間接復(fù)合系數(shù)的增加,從而也將降低LED的內(nèi)量子效率。
如(1)所述,由于過(guò)剩少數(shù)載流子的擴(kuò)散,發(fā)光區(qū)域除耗盡層外,還包括耗盡層兩側(cè)的若干區(qū)域。由于同質(zhì)結(jié)兩側(cè)材料的禁帶寬度一致,整個(gè)LED芯片區(qū)都將發(fā)生光子的再吸收現(xiàn)象,當(dāng)內(nèi)量子效率低于90%時(shí),必須考慮光子再吸收對(duì)LED光效降低的影響。
為減少光子再吸收,p-n結(jié)的p型層較薄,正向偏壓下由n區(qū)擴(kuò)散至p區(qū)的電子容易擴(kuò)散至p區(qū)表面,M4A3-32/32-5VC半導(dǎo)體表面的缺陷密度遠(yuǎn)高于內(nèi)部。這些缺陷導(dǎo)致間接復(fù)合系數(shù)的增加,從而也將降低LED的內(nèi)量子效率。
如(1)所述,由于過(guò)剩少數(shù)載流子的擴(kuò)散,發(fā)光區(qū)域除耗盡層外,還包括耗盡層兩側(cè)的若干區(qū)域。由于同質(zhì)結(jié)兩側(cè)材料的禁帶寬度一致,整個(gè)LED芯片區(qū)都將發(fā)生光子的再吸收現(xiàn)象,當(dāng)內(nèi)量子效率低于90%時(shí),必須考慮光子再吸收對(duì)LED光效降低的影響。
相關(guān)技術(shù)資料- 8-2電子商務(wù)的一般框架
- 11-1為減少光子再吸收,p-n結(jié)的p型層較薄
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