GaP化合物半導體中具有間接帶隙結構,300K時的禁帶寬度為2,2⒍V(見表5-2)。從⒛世紀ω年代開始GaP材料被廣泛地用于制造低成本、 A1225APQ100C中低亮度的紅色、橙色和黃綠色發光二極管。間接躍遷的半導體發光幾乎均與雜質相關,純的GaP發光二極管發射波長為555nm的綠光,氮摻雜的GaP發光二極管發射波長為565nm的黃綠光,氧化鋅的摻雜使得其發射波長為⒛Onm的紅光(如圖5-4所示)。進一步的研究闡明了雜質摻雜(氮和氧化鋅)促進間接帶隙結構的GaP材料產生高效綠色發光的原因。在氮摻雜的GaP晶體中,雜質原子N取代了基體原子P的位置,由于氮和磷同為V族元素,它們的價電子數目相同,是等電性的。然而,N的電負性(3,0)遠高于P的電負性(2,1),在N取代晶格中的P后,N原子對電子具有更強的俘獲能力,可吸引一個導帶的電子而成為負離子。爾后由于庫侖力的作用再俘獲空穴形成束縛激子(電子一空穴對被帶電中心束縛),這就是等價電子所形成等電子陷阱。由于束縛激子被限制在很小的范Fal內,囚此具有比較大的復合概率,可產生有效的近帶隙復合輻射。由于束縛激子中只包括電子和空穴,不易把能量傳遞給其他電子而產生俄歇過程,因而等電子陷阱發光可以獲得較高的發光效率。