藍寶石圖形襯底結(jié)構(gòu)優(yōu)化
發(fā)布時間:2016/11/6 17:47:02 訪問次數(shù):762
通過不同的光刻工藝,在藍寶石表面能夠有效地制備不同的圖形,其刻蝕深度、圖形G24102DL-R尺寸和間距都可以進行有效的控制。由不同圖形的藍寶石襯底制備的LED芯片在電子和光學(xué)等性質(zhì)方面存在較大的差異,YT。Hst】等人分別制備了半球形、六角形和圓錐形的藍寶石襯底表面(見圖5-38),半球形和六角形襯底的圖形直徑均3.4um,問距為1.8um,而圓錐形襯底直徑為2um,間距3,2um。在傳統(tǒng)藍寶石襯底、半球形圖形化襯底、六角形圖形化襯底和圓錐形圖形化襯底表面生長的GaN夕卜延層的位錯密度分別為8,7×10飛m2、2×1y田卩、3×1ycm2和5×1y。半球形圖形化藍寶石襯底制各的GaN夕卜延層位錯密度最小,晶體質(zhì)量最高,由其制備的LED也具有最佳的電流一電壓特性。
通過不同的光刻工藝,在藍寶石表面能夠有效地制備不同的圖形,其刻蝕深度、圖形G24102DL-R尺寸和間距都可以進行有效的控制。由不同圖形的藍寶石襯底制備的LED芯片在電子和光學(xué)等性質(zhì)方面存在較大的差異,YT。Hst】等人分別制備了半球形、六角形和圓錐形的藍寶石襯底表面(見圖5-38),半球形和六角形襯底的圖形直徑均3.4um,問距為1.8um,而圓錐形襯底直徑為2um,間距3,2um。在傳統(tǒng)藍寶石襯底、半球形圖形化襯底、六角形圖形化襯底和圓錐形圖形化襯底表面生長的GaN夕卜延層的位錯密度分別為8,7×10飛m2、2×1y田卩、3×1ycm2和5×1y。半球形圖形化藍寶石襯底制各的GaN夕卜延層位錯密度最小,晶體質(zhì)量最高,由其制備的LED也具有最佳的電流一電壓特性。
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- G24102DL-R
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