熒光體的發(fā)光特性
發(fā)布時(shí)間:2016/11/7 21:18:51 訪問次數(shù):607
2000年,Uhcda等采用LaN、Eu203和Si3N4為原料,通過固相反應(yīng)合成Lasi3N5、La0雨uO lsi3N5~O丌、LaEuSi2N302,研究了這類化合物的發(fā)光性能和結(jié)構(gòu)特點(diǎn),發(fā)現(xiàn)La0雨uOls洲hOJ的發(fā)射光譜為一個(gè)峰值波長位于549nm處的寬發(fā)射帶。AD8572ARZ而LaEusi2N302中的Eu2+離子在65011m處有一個(gè)深紅色發(fā)射帶,且LaO滔u01S圮N5~0x與Lasi3N5結(jié)構(gòu)相同。 u等研究了Cc3+、L廣或Na+共摻的Mc2Si5N:(Mc=Ca,⒌,Ba)熒光體的發(fā)光特性。由于Cc・的5d→盯躍遷,MFCa,
Si,Ba時(shí),Cc3+激活M2si5N:的熒光體分別在狎0nm,553nm與451nm呈現(xiàn)出寬發(fā)射峰。其中,Mc2S壇N:∶CC3+,Ⅱ,(Mc=sr,Ba)呈現(xiàn)Cc・雙發(fā)光中心,這是由于Cc3+占據(jù)兩個(gè)Mc格位。隨Cc・濃度的增加,
吸收與發(fā)射強(qiáng)度增加而且發(fā)射帶的位置產(chǎn)生了小于10nm的輕微紅移。M叻Si5N:∶Cc,Ⅱ(Na)(Mc=Ca,⒌)在藍(lán)光范圍370~45Onm有強(qiáng)的吸收與激發(fā)帶。Ba2si5N:∶Cc,h的激發(fā)光譜有兩個(gè)特殊的寬峰,峰值分別位于250nm和翎5~415nm(見圖5-60)。發(fā)射光譜為位于425~⒛0nm之間的三個(gè)的寬峰,峰值分別位于繡1,497與56Onm。
2000年,Uhcda等采用LaN、Eu203和Si3N4為原料,通過固相反應(yīng)合成Lasi3N5、La0雨uO lsi3N5~O丌、LaEuSi2N302,研究了這類化合物的發(fā)光性能和結(jié)構(gòu)特點(diǎn),發(fā)現(xiàn)La0雨uOls洲hOJ的發(fā)射光譜為一個(gè)峰值波長位于549nm處的寬發(fā)射帶。AD8572ARZ而LaEusi2N302中的Eu2+離子在65011m處有一個(gè)深紅色發(fā)射帶,且LaO滔u01S圮N5~0x與Lasi3N5結(jié)構(gòu)相同。 u等研究了Cc3+、L廣或Na+共摻的Mc2Si5N:(Mc=Ca,⒌,Ba)熒光體的發(fā)光特性。由于Cc・的5d→盯躍遷,MFCa,
Si,Ba時(shí),Cc3+激活M2si5N:的熒光體分別在狎0nm,553nm與451nm呈現(xiàn)出寬發(fā)射峰。其中,Mc2S壇N:∶CC3+,Ⅱ,(Mc=sr,Ba)呈現(xiàn)Cc・雙發(fā)光中心,這是由于Cc3+占據(jù)兩個(gè)Mc格位。隨Cc・濃度的增加,
吸收與發(fā)射強(qiáng)度增加而且發(fā)射帶的位置產(chǎn)生了小于10nm的輕微紅移。M叻Si5N:∶Cc,Ⅱ(Na)(Mc=Ca,⒌)在藍(lán)光范圍370~45Onm有強(qiáng)的吸收與激發(fā)帶。Ba2si5N:∶Cc,h的激發(fā)光譜有兩個(gè)特殊的寬峰,峰值分別位于250nm和翎5~415nm(見圖5-60)。發(fā)射光譜為位于425~⒛0nm之間的三個(gè)的寬峰,峰值分別位于繡1,497與56Onm。
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