半導體二極管是由PN結(jié)加上引線和管殼構(gòu)成的。它的類型很多。按制造GM-TPDT-6D-T材料分為硅二極管和鍺二極管。按二極管的結(jié)構(gòu)來分有點接觸型二極管和面接觸型二極管。二極管在電路中的符號為丬寺,用ⅤD來表示,其電流方向沿箭頭方向流動,施加正向電壓導通,反向電壓不導通,具有單導電性。晶體二極管的基本特性參數(shù)有:

   (1)正向特性。加在二極管兩端的正向電壓(P為正、N為負)很小時(鍺管小于0.1Ⅴ,硅管小于0.5Ⅴ),二極管不導通處于“死區(qū)”狀態(tài);當正向電壓超過一定數(shù)值后,二極管才導通,電壓再稍微增大,電流急劇增加:不同材料的二極管,起始電壓不同,硅管為0.5~0.7Ⅴ, 鏌弼旨為0.1~0.3Ⅴ。

   (2)反向特性。二極管兩端加上反向電壓時,反向電流很小,當反向電壓逐漸增加時,反向電流基本保持不變,這時的電流稱為反向飽和電流c不同材料的二極管,反向電流大小不同,硅管為1uA到幾十微安,鍺管則可高達數(shù)百微安。另外,反向電流受溫度變化的影響很大,鍺管的穩(wěn)定性比硅管差.

   擊穿特性。當反向電壓增加到某一數(shù)值時,反向電流急劇增大,這種現(xiàn)象稱為反向擊穿。這時的反向電壓稱為反向擊穿電壓,不同結(jié)構(gòu)、丁藝和材料制成的二極管,其反向擊穿電壓值差異很大,可由1Ⅴ到幾百伏,甚至高達數(shù)千伏。

   頻率特性。由于結(jié)電容的存在,當頻率高到某一程度時,容抗小到使PN結(jié)短路,導致二極管失去單向?qū)щ娦?不能工作,PN結(jié)面積越大,結(jié)電容越大,越不適用于高頻電路。