熱預(yù)算問題推動r高壓氧化的發(fā)展。晶圓中位錯的生長和在晶圓表面層中開的邊緣二IPP60R520E6是由于氰產(chǎn)生的錯位高溫氧化的麗個問題。在第一種情況下，位錯造成器件性能的各種問題；在第二種情況下，表面位錯引起表面漏電或雙極型電路硅生長層的退化．

   位錯的生長是反應(yīng)溫度和在此溫度時(shí)反應(yīng)時(shí)間的函數(shù)。針對這個問題，一種解決力’案是降低反應(yīng)溫度，此方案本身使得氧化時(shí)問變長。一種町以解決兩個問題的方案是高壓氧化。這些

系統(tǒng)結(jié)構(gòu)很像傳統(tǒng)的水平式反應(yīng)爐，但有一。妊顯著不同是：這種爐管是密封的并且氧化劑被用10~25信大氣壓的壓力泵入爐管。，高壓氧化的外圍要求用一個不銹鋼套包住石英管以防止爆裂。

   另…一種選擇是用高壓系統(tǒng)來維持正常的反應(yīng)溫度，但減少了氧化時(shí)間。其他要擔(dān)心的是，高壓系統(tǒng)的安全操作問題以及由于要產(chǎn)生高壓而從附加的泵和管道里產(chǎn)生的污染．

   非常薄的MOS柵極氧化生長是高壓氧化工藝的候選。薄氧化層必須要結(jié)構(gòu)完整（沒有孔等）。足夠強(qiáng)的電介質(zhì)可以防止在柵區(qū)的電荷積累。在高壓氧化中生成的柵極比在常壓時(shí)生成的柵極絕緣性強(qiáng)24、．高壓氧化1：藝也呵以解決在局部氧化中( LOCOS)產(chǎn)生的“鳥嘴”問題，見16.4.1節(jié)里的局部氧化隔離丁藝。圖7.26解釋了在MOS器件中不希望出現(xiàn)的“鳥嘴”長入了有源區(qū)。、高壓氧化可以將“鳥嘴”侵蝕進(jìn)器件的區(qū)域減到最小，并在LOCOS工藝中使場氧化層最薄25，、