直到20世紀(jì)70年代中期，負(fù)膠一直AD8072ARM-REEL7在光刻工藝中占主導(dǎo)地位。隨著超大規(guī)模集成電路( VLSI)和2—5 ht,m圖形尺寸范圍的出現(xiàn)使負(fù)膠的分辨率變得困難。正膠存在了20多年，但是它們的缺點(diǎn)是黏結(jié)能力差，而且它們的良好分辨率和防止針孑L能力在那時也并不需要。

   到了20世紀(jì)80年代，正膠逐漸被接受。這個轉(zhuǎn)換過程是很不容易的。轉(zhuǎn)化到正膠需要改變掩模版的極性。遺憾的是，它不是簡單的圖形反轉(zhuǎn)。用掩模版和兩種不同光刻膠結(jié)合而在晶圓表面光刻得到的尺寸是木同的（見圖8. 18）。由于光在圖形周圍會有衍射，用負(fù)膠和亮場掩模版組合在光刻膠層上得到的圖形尺寸要比掩模版E的圖形尺寸小。用正膠和暗場掩模版組合會使光刻膠層上的圖形尺寸變大。這些變化必須在掩模版／放大掩模版的制作和光刻J：藝的設(shè)計過程中考慮到。，換句話說，光刻膠類型的轉(zhuǎn)變需要一個全新的光刻工藝.

   對于大多數(shù)掩模版來說，圖形大部分都是空洞。用正膠和暗場掩模版組合還可以在晶圓表面得到附加的針孔保護(hù)（見圖8. 19）。亮場掩模版在玻璃表面會傾向于有裂紋。。這些裂紋稱為玻璃損傷( glassdamage)，它會擋住曝光源而在光刻膠表面生不希望的小孔，結(jié)果就會在晶圓表面刻蝕出小孔。那砦在光刻膠透明區(qū)域上的污垢也會造成同樣的結(jié)果。在暗場掩模版卜^，大部分都被鉻覆蓋住了，所以不容易有針孔出現(xiàn)。因此，晶圓表面也就會有比較少的孔洞，對于非常小的圖形面積，正膠是唯一的選擇。