大功率晶體管的檢測(cè)方法
發(fā)布時(shí)間:2017/2/10 20:12:33 訪問(wèn)次數(shù):749
大功率晶體管的檢測(cè)方法與中、小功率M12L1616A-7T晶體管完全一樣,但檢測(cè)時(shí),萬(wàn)用表的量程需更換為R×1擋位、R×10擋位或R×10k擋位;這是因?yàn)榇蠊β示w管的漏電流均較大,若仍選用R×100擋位或R×1k擋位進(jìn)行測(cè)量,則極間電阻將會(huì)極小,如此很難判斷大功率晶
體管的性能。
(1)大功率晶體管性能的判別
①將萬(wàn)用表置于R×1擋位,兩支表筆分別接人大功率晶體管的發(fā)射結(jié)(基極與發(fā)射極)和集電結(jié)(基極與集電極)的正向電阻,其阻值均較低;對(duì)于鍺管,表針靠近表盤(pán)的右端,基本位于0Ω附近;對(duì)于硅管,表針應(yīng)位于表盤(pán)的中間區(qū)域或中間偏右的位置。
②將萬(wàn)用表置于R×1擋位,分別測(cè)量發(fā)射結(jié)和集電結(jié)的反向電阻;對(duì)于硅管,表針應(yīng)基本不動(dòng);對(duì)于鍺管,表針會(huì)產(chǎn)生小幅度的移動(dòng)、但不應(yīng)超過(guò)表盤(pán)滿(mǎn)刻度的1/4。
③將萬(wàn)用表置于R×1擋位,測(cè)量集電極與發(fā)射極之間的電阻,對(duì)調(diào)表筆各測(cè)量一次;無(wú)論對(duì)于硅管還是對(duì)于鍺管,其阻值均應(yīng)為∞。
上述晶體管極間電阻的測(cè)量方法中,若電阻測(cè)量值符合上述范圍,則表明被測(cè)晶體管性能良好,否則,表明被測(cè)晶體管已受損或性能不良。具體的接線方法如圖643所示。
(2)大功率晶體管放大能力的檢測(cè)
將萬(wàn)用表置于R×l擋位,晶體管的基極懸空,測(cè)量大功率晶體管的集電極于發(fā)射極之間的電阻值,表針應(yīng)產(chǎn)生小幅度的擺動(dòng);若擺動(dòng)幅度較大,則表明該晶體管的穿透電流過(guò)大;若電阻測(cè)量值接近于0,則表明該大功率晶體管已經(jīng)損壞。
大功率晶體管的檢測(cè)方法與中、小功率M12L1616A-7T晶體管完全一樣,但檢測(cè)時(shí),萬(wàn)用表的量程需更換為R×1擋位、R×10擋位或R×10k擋位;這是因?yàn)榇蠊β示w管的漏電流均較大,若仍選用R×100擋位或R×1k擋位進(jìn)行測(cè)量,則極間電阻將會(huì)極小,如此很難判斷大功率晶
體管的性能。
(1)大功率晶體管性能的判別
①將萬(wàn)用表置于R×1擋位,兩支表筆分別接人大功率晶體管的發(fā)射結(jié)(基極與發(fā)射極)和集電結(jié)(基極與集電極)的正向電阻,其阻值均較低;對(duì)于鍺管,表針靠近表盤(pán)的右端,基本位于0Ω附近;對(duì)于硅管,表針應(yīng)位于表盤(pán)的中間區(qū)域或中間偏右的位置。
②將萬(wàn)用表置于R×1擋位,分別測(cè)量發(fā)射結(jié)和集電結(jié)的反向電阻;對(duì)于硅管,表針應(yīng)基本不動(dòng);對(duì)于鍺管,表針會(huì)產(chǎn)生小幅度的移動(dòng)、但不應(yīng)超過(guò)表盤(pán)滿(mǎn)刻度的1/4。
③將萬(wàn)用表置于R×1擋位,測(cè)量集電極與發(fā)射極之間的電阻,對(duì)調(diào)表筆各測(cè)量一次;無(wú)論對(duì)于硅管還是對(duì)于鍺管,其阻值均應(yīng)為∞。
上述晶體管極間電阻的測(cè)量方法中,若電阻測(cè)量值符合上述范圍,則表明被測(cè)晶體管性能良好,否則,表明被測(cè)晶體管已受損或性能不良。具體的接線方法如圖643所示。
(2)大功率晶體管放大能力的檢測(cè)
將萬(wàn)用表置于R×l擋位,晶體管的基極懸空,測(cè)量大功率晶體管的集電極于發(fā)射極之間的電阻值,表針應(yīng)產(chǎn)生小幅度的擺動(dòng);若擺動(dòng)幅度較大,則表明該晶體管的穿透電流過(guò)大;若電阻測(cè)量值接近于0,則表明該大功率晶體管已經(jīng)損壞。
上一篇:大功率晶體管的特點(diǎn)
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