輸入高電平電流
發(fā)布時(shí)間:2017/2/19 18:09:16 訪問次數(shù):2966
它是輸入高電平時(shí)流人輸入端HCPL2631的電流如圖1227(b)所示;的物理意義是作為負(fù)載的門電路在輸人高電平時(shí),流出/拉出前級門電路輸出端的電流,如圖1227(d)所示。
輸出低電平電流F(丬'它是輸出低電平時(shí)流人輸出端的電流,如圖1227(c)所示;產(chǎn)品規(guī)定的最大值為16mA。這個(gè)最大值是當(dāng)閘電路輸入低電平時(shí),允許負(fù)載灌人輸出端的電流上限值,因此亦被稱為門電路帶灌電流負(fù)載的能力(吸電流能力)。輸出低電平時(shí),輸出級VT4、VD3均截止,VT5導(dǎo)通并飽和,則灌入輸出端的電流就成VT5的集電極電流Jcs;若rcs過大,則會(huì)破壞VT5的飽和條件(BJ`>∫(s),導(dǎo)致輸出低電平的升高,這就是吸電流能力受限的根源。
檢測方法如圖1227(c)所示,在電路輸出端接人若干個(gè)同類TTI'門作為負(fù)載,或者在輸出端與+5V之間接入一個(gè)電阻RL以模擬灌電流負(fù)載・在輸人均為高電平時(shí)逐漸加重負(fù)載,并記錄LI(【'上升至rr(.'(max)(0・4V)時(shí)的Ⅰ(△'值。
輸出高電平電流Ⅰ(舊 它是輸出高電平時(shí)流出輸出端的電流.如圖1227(d)所示;產(chǎn)品規(guī)定的最大值為0,迮mA。rm(“a。是當(dāng)閘電路輸出高電平時(shí),允許負(fù)載拉出輸出端的電流上限值,故∫(訂】(n1ax)也被稱為門電路帶拉電流負(fù)載的能力(放電流能力)。當(dāng)輸入高電平時(shí),輸出級VT5截止,而VT4、VD3均導(dǎo)通,此時(shí)拉出輸出端的負(fù)載電流就形成VT4的射極電流Ⅰ田;若rE⊥值過大,則R2上的電流也越大、其壓降增大,VT4基極電位隨之下降,VT3射極和輸出電位均會(huì)隨之下降,這就是放電流能力受限的根源。
檢測方法如圖1227(d)所示,在電路輸出端接人若干個(gè)同類TTI'門電路作為負(fù)載,或輸出端與地之間接入一個(gè)電阻RL以模擬拉電流負(fù)載,在輸入有低電平時(shí)逐漸加重負(fù)載,并記錄下降Lr(lH至LJ(訂I(ma婦(2,4V)時(shí)的r(,Ii值。比較上述兩個(gè)參數(shù)(I()II nnx)=16mA、Ⅰ(汗I(¨°=0.4mA)可知,'Γ'I′I'電路的帶灌電流負(fù)載能力(吸電流能力)要比帶拉電流負(fù)載能力(放電流能力)大。
它是輸入高電平時(shí)流人輸入端HCPL2631的電流如圖1227(b)所示;的物理意義是作為負(fù)載的門電路在輸人高電平時(shí),流出/拉出前級門電路輸出端的電流,如圖1227(d)所示。
輸出低電平電流F(丬'它是輸出低電平時(shí)流人輸出端的電流,如圖1227(c)所示;產(chǎn)品規(guī)定的最大值為16mA。這個(gè)最大值是當(dāng)閘電路輸入低電平時(shí),允許負(fù)載灌人輸出端的電流上限值,因此亦被稱為門電路帶灌電流負(fù)載的能力(吸電流能力)。輸出低電平時(shí),輸出級VT4、VD3均截止,VT5導(dǎo)通并飽和,則灌入輸出端的電流就成VT5的集電極電流Jcs;若rcs過大,則會(huì)破壞VT5的飽和條件(BJ`>∫(s),導(dǎo)致輸出低電平的升高,這就是吸電流能力受限的根源。
檢測方法如圖1227(c)所示,在電路輸出端接人若干個(gè)同類TTI'門作為負(fù)載,或者在輸出端與+5V之間接入一個(gè)電阻RL以模擬灌電流負(fù)載・在輸人均為高電平時(shí)逐漸加重負(fù)載,并記錄LI(【'上升至rr(.'(max)(0・4V)時(shí)的Ⅰ(△'值。
輸出高電平電流Ⅰ(舊 它是輸出高電平時(shí)流出輸出端的電流.如圖1227(d)所示;產(chǎn)品規(guī)定的最大值為0,迮mA。rm(“a。是當(dāng)閘電路輸出高電平時(shí),允許負(fù)載拉出輸出端的電流上限值,故∫(訂】(n1ax)也被稱為門電路帶拉電流負(fù)載的能力(放電流能力)。當(dāng)輸入高電平時(shí),輸出級VT5截止,而VT4、VD3均導(dǎo)通,此時(shí)拉出輸出端的負(fù)載電流就形成VT4的射極電流Ⅰ田;若rE⊥值過大,則R2上的電流也越大、其壓降增大,VT4基極電位隨之下降,VT3射極和輸出電位均會(huì)隨之下降,這就是放電流能力受限的根源。
檢測方法如圖1227(d)所示,在電路輸出端接人若干個(gè)同類TTI'門電路作為負(fù)載,或輸出端與地之間接入一個(gè)電阻RL以模擬拉電流負(fù)載,在輸入有低電平時(shí)逐漸加重負(fù)載,并記錄下降Lr(lH至LJ(訂I(ma婦(2,4V)時(shí)的r(,Ii值。比較上述兩個(gè)參數(shù)(I()II nnx)=16mA、Ⅰ(汗I(¨°=0.4mA)可知,'Γ'I′I'電路的帶灌電流負(fù)載能力(吸電流能力)要比帶拉電流負(fù)載能力(放電流能力)大。
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