單個(gè)E叫脈沖的能量較小,不會(huì)對(duì)設(shè)備造成故障。但由于Er是持續(xù)一段時(shí)間的單極性脈沖串, R1170H151B-T1-F它對(duì)設(shè)備線路結(jié)電容充電,經(jīng)過累積,最后達(dá)到并超過IC芯片的抗擾度電平,將引起數(shù)字系統(tǒng)錯(cuò)位、系統(tǒng)復(fù)位、內(nèi)存錯(cuò)誤及死機(jī)等現(xiàn)象。因此,線路出錯(cuò)會(huì)有個(gè)時(shí)間累計(jì)過程,而且會(huì)有一定偶然性和隨機(jī)性。而且很難判斷究竟是分別施加脈沖還是一起施加脈沖設(shè)各更容易失效,設(shè)各對(duì)正向脈沖和負(fù)向脈沖哪個(gè)更為敏感也很難下結(jié)論。測(cè)試結(jié)果與設(shè)備線纜布置、設(shè)備運(yùn)行狀態(tài)、脈沖參數(shù)、脈沖施加的組合等都有極大的相關(guān)性。而不能簡單地認(rèn)為,在EFT抗擾度試驗(yàn)中受測(cè)設(shè)備有一個(gè)門檻電平,干擾低于這個(gè)電平,設(shè)備工作正常;干擾高于這個(gè)電平,設(shè)備就失效。正是這種偶然性和隨機(jī)性給E「r對(duì)策的選擇方式和對(duì)策部位的選擇增加了難度。同時(shí),大多數(shù)電路為了抵抗瞬態(tài)干擾,在輸入端安裝了積分電路,這種電路對(duì)單個(gè)脈沖具有很好的抑制作用,但是對(duì)于一串脈沖則不能有效抑制。

   GB/T17626.4新標(biāo)準(zhǔn)在單組脈沖群注入受試設(shè)備的脈沖總量沒變(仍為乃個(gè))的情況下,將脈沖重復(fù)頻率從5kHz提高到100kHz,單位時(shí)間內(nèi)的脈沖密集程度大大增加了。單位時(shí)間內(nèi)的脈沖個(gè)數(shù)越多,結(jié)電容的電荷積累越快,也越容易達(dá)到線路出錯(cuò)的閾限。因此,新的標(biāo)準(zhǔn)把脈沖重復(fù)頻率提高,其本質(zhì)上也是將試驗(yàn)的嚴(yán)格程度提高。這樣能通過舊標(biāo)準(zhǔn)E田測(cè)試的產(chǎn)品,在按照新標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行測(cè)試時(shí)耒必能通過。