退火時雖然通過簡單損傷的復(fù)合可大大消除晶格損傷,但與此同時也有可能發(fā)生由幾個簡單損傷的再結(jié)合而形成復(fù)雜的損傷。因此退火后往往會留下所謂的二次缺陷。M74VHC1GT125DF1G二次缺陷可能影響載流子的遷移率、少數(shù)載流子壽命及退火后注入原子在晶體中的位置等,因而直接影響半導(dǎo)體器件的特性。曾經(jīng)有許多人用透射電子顯微鏡對二次缺陷進(jìn)行了觀察和研究。迄今為止觀察到的二次缺陷有黑點(diǎn)、各種位錯環(huán)、桿狀缺陷、層錯及位錯網(wǎng)等。

   當(dāng)注人材料退火時,在相互可以相遇的空間范圍內(nèi)空位與間隙原復(fù)合,復(fù)合后缺陷就消失,兩種類型缺陷相互完全消失是不可能的,因?yàn)閮烧咛幱诓煌諉�。因�?短時問退火后,注人材料還有兩種類型點(diǎn)缺陷的殘留缺陷,這兩種點(diǎn)缺陷的分布和濃度是各自不同的。進(jìn)一步退火使點(diǎn)缺陷聚結(jié)在一起形成位于面的本征和非本征的錯位位錯環(huán)。進(jìn)一步退火后,位錯環(huán)能生長,能量增加。對于某一個尺寸,位錯環(huán)的能量將變成等于由土位錯束縛的無位錯環(huán)能量。如果注人材料仍處于飽和點(diǎn)缺陷狀態(tài),完整的環(huán)也能因吸收點(diǎn)缺陷而擴(kuò)大,形成位錯網(wǎng)。通常,注人離子的共價四面體的半徑與主體原子的四面體半徑是不同的。因此,在退火期間,注入雜質(zhì)占據(jù)替位會產(chǎn)生局部應(yīng)力。因?yàn)槲诲e和雜質(zhì)應(yīng)力場的合適的彈性的相互作用,注人原子遷移到退火期間產(chǎn)生的位錯環(huán)和位錯上去可以降低系統(tǒng)的整個應(yīng)力能。