納米壓印光刻(Nan。Impol△t Lithography,NIL)是由華裔科學(xué)家,美國普林斯頓大學(xué)的CHOU等在1995年首先提出的一種全新的納米圖形復(fù)制方法。H27U1G8F2BFR-BC它采用傳統(tǒng)的機(jī)械模具微復(fù)型原理來代替包含光學(xué)、化學(xué)及光化學(xué)反應(yīng)機(jī)理的復(fù)雜光學(xué)光刻,避免了對特殊曝光束源、高精度聚焦系統(tǒng)、極短波長透鏡系統(tǒng),以及抗蝕劑分辨率受光半波長效應(yīng)的限制和要求。目前壓印的最小特征尺寸可以達(dá)到5nm。NII'較之現(xiàn)行的投影光刻和其他下一代光刻技術(shù),具有高分辨率、超低成本(國際權(quán)威機(jī)構(gòu)評估同等制作水平的NIL比傳統(tǒng)光學(xué)投影光刻至少低一個數(shù)量級)和高生產(chǎn)率等特點,已被納人~9O05版的《國際半導(dǎo)體技術(shù)藍(lán)圖》,并排在16nm節(jié)點�，F(xiàn)有的納米壓印光刻工藝主要包括熱壓印(HotEmbos⒍ng Lithography,HEL)、紫外納米壓印(UltraˉViolct NanoImpoIat htl△ography,U平NIL)和微接角蟲印吊刂(Micr。c。ntact Print,uˉCP,R/IcP) 。

   納米壓印光刻技術(shù)實質(zhì)上是將傳統(tǒng)的模具復(fù)型原理應(yīng)用到微觀制造領(lǐng)域中。NⅡ'圖形的轉(zhuǎn)移是通過模具下壓導(dǎo)致抗蝕劑流動并填充到模具表面特征圖形中的,隨后增大模具下壓載荷致使抗蝕劑減薄,在抗蝕劑減薄過程中下壓載荷恒定;當(dāng)抗蝕劑減薄到后續(xù)工藝允許范圍內(nèi)(設(shè)定的留膜厚度)停止模具下壓并固化抗蝕劑。與傳統(tǒng)光刻工藝相比,它不是通過改變抗蝕劑的化學(xué)特性而實現(xiàn)抗蝕劑的圖形化的,而是通過抗蝕劑的受力變形實現(xiàn)其圖形化的。