刻蝕速率

   刻蝕速率是指在刻蝕過程中去除硅片表面材料的速率,通常用A/min表示。為了提OP291G高產量,希望有高的刻蝕速率。在采用單片工藝的設備中,這是一個很重要的參數�？涛g速率由工藝和設備變量決定,如被刻蝕材料類型、刻蝕機的結構配置、使用的刻蝕氣體和△藝參數設置等。

   T為去掉的材料厚度(A或um);r為刻蝕所用的時間(血ll,。

刻蝕速率通常正比于刻蝕劑的濃度。硅片表面幾何形狀等因素能影響硅片與硅片之間的刻蝕速率。要刻蝕硅片表面的大面積區(qū)域,則會耗盡刻蝕劑濃度使刻蝕速率慢下來;如果刻蝕的面積比較、則刻蝕就會快些,這稱為負載效應�？涛g速率的減小是由于在等離子體刻蝕反應過程中會消耗大部分的氣相刻蝕劑。由于負載效應帶來的刻蝕速率的變化是使有效的終點檢測變得非常重要的最主要原因。影響刻蝕速率的主要因素包括:離子能量和人射角、氣體成分、氣體流速和其它影響因素等。