再生長(zhǎng)一層二氧化硅,隨后進(jìn)行第二次光刻,刻出隔離區(qū),并刻蝕掉隔離區(qū)的氧化層。隨后預(yù)P0804BK淀積硼,并退火使雜質(zhì)推進(jìn)到所需的深度,形成p型隔離區(qū)。這樣便在硅襯底上形成了許多由反偏pn結(jié)隔離開的孤立的外延島,從而實(shí)現(xiàn)了器件間的電絕緣。

   混合隔離

   混合隔離是島側(cè)壁為介質(zhì)形隔離,底部為pn結(jié)隔離的工藝方法,也稱為氧化物隔離或局部氧化隔離。當(dāng)前主要采用V形槽隔離和平面隔離兩種結(jié)構(gòu),如圖1221所示是兩種混合隔離結(jié)構(gòu)示意圖。主要工藝流程為:采用p型(1oo)晶面硅襯底,擴(kuò)散n+埋層,再外延生長(zhǎng)1~2um的⒈Si(或少Si)薄層;氧化、光刻出隔離槽窗口;聯(lián)氨水溶液各向異性腐蝕隔離槽,并穿透外延層使之實(shí)現(xiàn)島側(cè)壁隔離,V形槽的側(cè)壁與表面的夾角為54,7°,得如圖1221(a)所示的V形槽隔離結(jié)構(gòu),該結(jié)構(gòu)表面不平坦,對(duì)后期的金屬化工藝帶來問題;如在此基礎(chǔ)上刻蝕去除介質(zhì)層,再熱氧化生長(zhǎng)厚二氧化硅層(或I'PC、①多晶硅回填),最后用CMP平坦化,得如圖12~91(b)所示的平面隔離結(jié)構(gòu)。

   混合隔離極大地減少了元件面積和發(fā)射極一襯底間的寄生電容,顯著地提高了雙極型集成電路的集成度和速度�；旌细綦x還能增大雙極型晶體管收集極之間的擊穿電壓。但是混合隔離的缺點(diǎn)是工藝復(fù)雜、成本較高。