工藝過程檢測內(nèi)容包括硅與其他輔助材料檢測和工藝檢測兩大部分
發(fā)布時(shí)間:2017/5/31 21:22:47 訪問次數(shù):1233
工藝過程檢測內(nèi)容包括硅與其他輔助材料檢測和工藝檢測兩大部分。
(1)材料檢測
材料主要有高純水、高純氣體、擴(kuò)散源、硅拋光片M28C64-15等,在材料使用前進(jìn)行質(zhì)檢,在工藝過程中進(jìn)行定期抽檢。材料質(zhì)量對提高和保證器件性能、成品率都有十分重要的作用。
(2)工藝檢測
檢測項(xiàng)目大致可分成4類:①硅片晶格完整性、缺陷等物理量的測定;②薄膜厚度、結(jié)深、圖形尺寸等幾何線度的測量;③薄膜組分、腐蝕速率、抗蝕性等化學(xué)量的測定;④方塊電阻、界面態(tài)等電學(xué)量的測定。
隨著新檢測技術(shù)的不斷發(fā)展,工藝檢測技術(shù)得到了迅速提高,今后將主要向著以下3個(gè)方向發(fā)展。
①工藝線實(shí)時(shí)監(jiān)控,指工藝進(jìn)行到受控參數(shù)設(shè)定值時(shí),自動調(diào)整,或過程自動終止。
②非破壞性檢測,指對硅片直接進(jìn)行檢測。
③非接觸檢測,指對硅片直接進(jìn)行檢測。
工藝監(jiān)控是微電子產(chǎn)品生產(chǎn)的重要組成部分,它涉及與整個(gè)制造過程相關(guān)的各個(gè)方面,監(jiān)控內(nèi)容主要有以下4個(gè)方面。
①生產(chǎn)環(huán)境:溫度、濕度、潔凈度、靜電積聚等。
②基礎(chǔ)材料:高純水(去離子水)、高純氣體、化學(xué)試劑、光刻膠、單晶材料、石英材料等。
③工藝狀態(tài):工藝偏差、設(shè)備運(yùn)行情況、操作人員工作質(zhì)量等。
④設(shè)計(jì):電路設(shè)計(jì)、版圖設(shè)計(jì)、工藝設(shè)計(jì)等。當(dāng)前,工藝監(jiān)控一般同時(shí)采用以下3種方式。
①通過工藝設(shè)備的監(jiān)控系統(tǒng),進(jìn)行在線實(shí)時(shí)監(jiān)控。
②采用工藝檢測片,通過對工藝檢測片的測試跟蹤了解I藝情況。
③配置集成結(jié)構(gòu)測試圖形,通過對微電子測試圖形的檢測評估具體工藝、工藝設(shè)備、工藝流程。
工藝過程檢測內(nèi)容包括硅與其他輔助材料檢測和工藝檢測兩大部分。
(1)材料檢測
材料主要有高純水、高純氣體、擴(kuò)散源、硅拋光片M28C64-15等,在材料使用前進(jìn)行質(zhì)檢,在工藝過程中進(jìn)行定期抽檢。材料質(zhì)量對提高和保證器件性能、成品率都有十分重要的作用。
(2)工藝檢測
檢測項(xiàng)目大致可分成4類:①硅片晶格完整性、缺陷等物理量的測定;②薄膜厚度、結(jié)深、圖形尺寸等幾何線度的測量;③薄膜組分、腐蝕速率、抗蝕性等化學(xué)量的測定;④方塊電阻、界面態(tài)等電學(xué)量的測定。
隨著新檢測技術(shù)的不斷發(fā)展,工藝檢測技術(shù)得到了迅速提高,今后將主要向著以下3個(gè)方向發(fā)展。
①工藝線實(shí)時(shí)監(jiān)控,指工藝進(jìn)行到受控參數(shù)設(shè)定值時(shí),自動調(diào)整,或過程自動終止。
②非破壞性檢測,指對硅片直接進(jìn)行檢測。
③非接觸檢測,指對硅片直接進(jìn)行檢測。
工藝監(jiān)控是微電子產(chǎn)品生產(chǎn)的重要組成部分,它涉及與整個(gè)制造過程相關(guān)的各個(gè)方面,監(jiān)控內(nèi)容主要有以下4個(gè)方面。
①生產(chǎn)環(huán)境:溫度、濕度、潔凈度、靜電積聚等。
②基礎(chǔ)材料:高純水(去離子水)、高純氣體、化學(xué)試劑、光刻膠、單晶材料、石英材料等。
③工藝狀態(tài):工藝偏差、設(shè)備運(yùn)行情況、操作人員工作質(zhì)量等。
④設(shè)計(jì):電路設(shè)計(jì)、版圖設(shè)計(jì)、工藝設(shè)計(jì)等。當(dāng)前,工藝監(jiān)控一般同時(shí)采用以下3種方式。
①通過工藝設(shè)備的監(jiān)控系統(tǒng),進(jìn)行在線實(shí)時(shí)監(jiān)控。
②采用工藝檢測片,通過對工藝檢測片的測試跟蹤了解I藝情況。
③配置集成結(jié)構(gòu)測試圖形,通過對微電子測試圖形的檢測評估具體工藝、工藝設(shè)備、工藝流程。
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