實(shí)際電容的阻抗特性是由~個(gè)理想的電容器和一個(gè)電阻
發(fā)布時(shí)間:2017/7/8 15:52:16 訪問次數(shù):1490
實(shí)際電容的阻抗特性是由~個(gè)理想的電容器和一個(gè)電阻、一個(gè)等效電感串聯(lián)而成的,ABL-3.579545MHZ-B2所以其中的電阻被稱為等效串連電阻,簡稱為ESR,電感被稱為等效串聯(lián)電感,簡稱為ESL。參考式(2.5-22)可以很容易得出,實(shí)際電容器的阻抗特性為:
理想電容的實(shí)部應(yīng)該為0,所以圖2-59中的ESR部分越小越好;
又由于隨著信號(hào)頻率的升高,電容的阻抗減小,頻率降低阻抗大,所以電容在電路中的作用為通交流隔直流,而電感恰恰相反,電感在電路中的特性是通直流隔交流,ESL部分也是越小越好。
隨著電容制造工藝的不斷提高,ESL部分對(duì)電容特性的影響已經(jīng)越來越小。目前,除了電容器的容量外,ESR已經(jīng)成為了對(duì)電容特性有影響的最主要因素。電容的ESR -般都在lOOmQ以下,而電解電容會(huì)高于這個(gè)數(shù)值。在用電解電容與負(fù)載并聯(lián),為負(fù)載濾波的電路輸出部分,電解電容的ESR有時(shí)可能會(huì)在200mQ左右。
將圖2-58中Measurement Frequency區(qū)的測(cè)試頻率保持默認(rèn)設(shè)置為100Hz,然后對(duì)上述同一個(gè)RLC進(jìn)行阻抗特性測(cè)試。
實(shí)際電容的阻抗特性是由~個(gè)理想的電容器和一個(gè)電阻、一個(gè)等效電感串聯(lián)而成的,ABL-3.579545MHZ-B2所以其中的電阻被稱為等效串連電阻,簡稱為ESR,電感被稱為等效串聯(lián)電感,簡稱為ESL。參考式(2.5-22)可以很容易得出,實(shí)際電容器的阻抗特性為:
理想電容的實(shí)部應(yīng)該為0,所以圖2-59中的ESR部分越小越好;
又由于隨著信號(hào)頻率的升高,電容的阻抗減小,頻率降低阻抗大,所以電容在電路中的作用為通交流隔直流,而電感恰恰相反,電感在電路中的特性是通直流隔交流,ESL部分也是越小越好。
隨著電容制造工藝的不斷提高,ESL部分對(duì)電容特性的影響已經(jīng)越來越小。目前,除了電容器的容量外,ESR已經(jīng)成為了對(duì)電容特性有影響的最主要因素。電容的ESR -般都在lOOmQ以下,而電解電容會(huì)高于這個(gè)數(shù)值。在用電解電容與負(fù)載并聯(lián),為負(fù)載濾波的電路輸出部分,電解電容的ESR有時(shí)可能會(huì)在200mQ左右。
將圖2-58中Measurement Frequency區(qū)的測(cè)試頻率保持默認(rèn)設(shè)置為100Hz,然后對(duì)上述同一個(gè)RLC進(jìn)行阻抗特性測(cè)試。
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