SOS裥S()I這兩個縮寫分別代表了Silicon On Sapphire和Silicon On Insulator。麗者都NAU8401YG足指在非半導(dǎo)體表面淀積硅。對此結(jié)構(gòu)的需求產(chǎn)生于有源器件下的半導(dǎo)體襯底存在對一些MOS器件的限制。這些問題可通過在絕緣的襯底上形成硅層來解決。應(yīng)用于此的第一個襯底是藍寶石( SOS)，隨著對不同襯底的研究，該術(shù)語便被延伸到更為通用的絕緣體硅上(SOI)．一種方法是在襯底上直接淀積，此后通過再晶體化過程（激光加熱、條形加熱器、氧氣注入）形成有用的薄膜心6。另一種方法是在表面氧化物上的孑L內(nèi)進行選擇性淀積，過生長后形成連續(xù)的薄膜。

   另外的SOI方法是SIMOX,、在這種T藝中，晶圓的頂層被轉(zhuǎn)化成富氧注入的氧化物，外延層牛長在氧化物上。有一些鍵合晶圓( bonded wafer)的研究，這種方法是使兩個晶圓鍵合在一起，然后對其中之一減�。ㄑ心ズ蛼伖猓┑狡骷䦟铀璧暮穸�27.

   砷化鎵是一種大量用的III-V族半導(dǎo)體材料。然而，它易碎，并且其晶圓直徑限制在4英寸( 102 mm)，，在硅晶圓上生長砷化鎵的嘗試已經(jīng)突破彼此晶格失配。在生長工藝中，失配引起使器件性能退化的位錯�！N新方法是首先在硅晶圓上生長一個薄的鈦酸鍶膜。它rj硅反應(yīng)形成無定形的二氧化硅層，，當(dāng)?shù)矸e砷化鎵膜時，二氧化硅層起到吸收失配的襯墊作用，如此可以形成一個單晶層。