結(jié)型場效應晶體管(J ul.ction Fiel扯Effect Transistor,JFET)是在同一塊N型半導體上制作兩個高摻雜的P區(qū),并將它們連接在一起,所引出的電極稱為柵極(G),N型半導體兩端分別引出兩個電極,分別稱為漏極(D)和源極(S),如圖1.l1所示。 OB3330XCPA結(jié)型場效應晶體管通過柵極電壓改變兩個反偏PN結(jié)勢壘的寬度,并囚此改變溝道的長度和厚度(柵極電壓使溝道厚度均勻變化,源漏電壓使溝道厚度不均勻變化),進而調(diào)節(jié)溝道的導電性來實現(xiàn)對輸出電流的控制,是具有放大功能的三端有源器件,也是單極場效應管中最簡單的一種,它可以分N溝道或者P溝道兩種。

   圖1.11 N型JFET場效應晶體管結(jié)構(gòu)示意圖

   結(jié)型場效應晶體管分為耗盡型(9JFET),即在零柵偏壓時就存在有溝道以及增強型(⒌JFET),在零柵偏壓時不存在溝道兩種JFET。JFET導電的溝道在體內(nèi),耗盡型和增強型這兩種晶體管在I藝和結(jié)構(gòu)上的差別主要在于其溝道區(qū)的摻雜濃度和厚度。JFET的溝道的摻雜濃度較高、厚度較大,以至于柵PN結(jié)的內(nèi)建電壓不能把溝道完全耗盡;而

JFET的溝道的摻雜濃度較低、厚度較小,貝刂柵PN結(jié)的內(nèi)建電壓即可把溝道完全耗盡。