肖特基勢(shì)壘柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管
發(fā)布時(shí)間:2017/10/11 22:19:39 訪問(wèn)次數(shù):2049
1966年,一種金屬一半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(Metal Semi∞l△ductor FET,MESFET)被提出并在一年后實(shí)現(xiàn),它在結(jié)構(gòu)上與結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)類(lèi)似,OB3370NCPA不過(guò)它與后者的區(qū)別是這種場(chǎng)效應(yīng)管并沒(méi)有使用PN結(jié)作為其柵極,而是采用金屬-半導(dǎo)體接觸所構(gòu)成的肖特基勢(shì)壘結(jié)的方式形成柵極,如圖1,12所示,其溝道通常由化合物半導(dǎo)體構(gòu)成,它的速度比由硅制造的結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管JFET或M()SFET快很多,但是制造成本相對(duì)更高。但是金屬一半導(dǎo)體接觸可以在較低溫度下形成,可以采用GaAs襯底材料制造出性能優(yōu)良的晶體管。
圖1,12 N型MESFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)示意圖
1966年,一種金屬一半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(Metal Semi∞l△ductor FET,MESFET)被提出并在一年后實(shí)現(xiàn),它在結(jié)構(gòu)上與結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)類(lèi)似,OB3370NCPA不過(guò)它與后者的區(qū)別是這種場(chǎng)效應(yīng)管并沒(méi)有使用PN結(jié)作為其柵極,而是采用金屬-半導(dǎo)體接觸所構(gòu)成的肖特基勢(shì)壘結(jié)的方式形成柵極,如圖1,12所示,其溝道通常由化合物半導(dǎo)體構(gòu)成,它的速度比由硅制造的結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管JFET或M()SFET快很多,但是制造成本相對(duì)更高。但是金屬一半導(dǎo)體接觸可以在較低溫度下形成,可以采用GaAs襯底材料制造出性能優(yōu)良的晶體管。
圖1,12 N型MESFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)示意圖
上一篇：JFET的特點(diǎn)
上一篇：高電子遷移率晶體管
相關(guān)技術(shù)資料- 10-11肖特基勢(shì)壘柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管
- 相關(guān)IC型號(hào)
- OB3370NCPA
- 暫無(wú)最新型號(hào)
熱門(mén)點(diǎn)擊
- 電子產(chǎn)品檢驗(yàn)
- 英特爾公司總結(jié)的電學(xué)柵氧厚度的發(fā)展趨勢(shì)
- 肖特基勢(shì)壘柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管
- 腐蝕技術(shù)(腐刻)與鉆孔
- 表面安裝元器件的包裝方式
- 接線圖(JL)
- 導(dǎo)線的加工
- 三極管
- 常用工藝文件的綿制方法
- 工藝說(shuō)明及簡(jiǎn)圖
推薦技術(shù)資料
- 聲道前級(jí)設(shè)計(jì)特點(diǎn)
- 與通常的Hi-Fi前級(jí)不同，EP9307-CRZ這臺(tái)分... [詳細(xì)]
- 全新高端射頻儀器
- 集成32位RISC-V處理器&
- 第三代半導(dǎo)體和圖像傳感器 參數(shù)封裝應(yīng)用
- 汽車(chē)半導(dǎo)體
- 人形機(jī)器人技術(shù)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及發(fā)展分
- 紫光芯片云3.0整體解決方案
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動(dòng)IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究
公網(wǎng)安備44030402000607
