H吖EG在氧化硅濕法刻蝕部分提過,它對氮化硅刻蝕率比氧化硅要快,比率約1.5:1,也不侵蝕硅,有時應用于CM()S的STI溝渠形成后氮化硅濕法回蝕步驟。W005G

   氮化硅HF濕法刻蝕

   49%HF對氮化硅(爐管或CVI))有高的刻蝕率,對氧化硅更高,因而不適宜制程應用。也正是l,xl為它的高刻蝕率,對去除擋控片上的氮化硅很有效。其反應如下ΙISi、NI+18H「―→H2SiFb+2(NHl)j SiFⅡ以爐管氮化硅(SiN)為幕罩的刻蝕,如淺溝渠隔離(s'I′I)刻蝕、側壁(()FFSET)刻蝕、主問隙壁(SPACER)刻蝕,在刻蝕后,留下的殘留物一般含Θ、Si等元素,常用稀HF(濃度H20:HF約100:1或更稀)清除。對于CVD SiN為幕罩的刻蝕,陣i于稀HF對CVD⒏N的刻蝕率本身就比爐管siN大,加上刻蝕電漿對幕罩的表面轟擊,相對講這種膜刻蝕率就更大,因此刻蝕后殘留物的去除,需用更稀的HF,以避免高濃度HF過刻蝕影響關鍵尺寸的控制。