Cu CMP的過程和機理
發(fā)布時間:2017/11/11 17:42:11 訪問次數:3961
Cu CMP的過程和機理Q113A-STS-E2
Cu CMP研磨△藝通常包括三步(見圖11,12)。第―步用銅研磨液來磨掉晶圓表面的大部分銅;第二步通常也用相同的銅研磨液,但用較低的研磨速率精磨與阻擋層接觸的銅,并通過終點偵測技術(Endpoint)使研磨停在阻擋層L;第三步是用阻擋層研磨液磨掉阻擋層以及少量的介質氧化物,并用大量的去離子水(DIW)清洗研磨墊和品圓。
Cu CMP的過程和機理Q113A-STS-E2
Cu CMP研磨△藝通常包括三步(見圖11,12)。第―步用銅研磨液來磨掉晶圓表面的大部分銅;第二步通常也用相同的銅研磨液,但用較低的研磨速率精磨與阻擋層接觸的銅,并通過終點偵測技術(Endpoint)使研磨停在阻擋層L;第三步是用阻擋層研磨液磨掉阻擋層以及少量的介質氧化物,并用大量的去離子水(DIW)清洗研磨墊和品圓。
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相關技術資料- 11-11Cu CMP的過程和機理
- 4-1光纖網絡方案與前面兩個方案相比有以下特點
- 3-26I-Bus系統(tǒng)還可使用智能面板開關進行手動控制
- 相關IC型號
- Q113A-STS-E2
- 暫無最新型號
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