制造晶圓的第一步是在晶圓上淀積一層不導(dǎo)電的二氧化硅薄膜。在晶圓的A6E-8101后續(xù)制作過程中,二氧化硅層的成長(zhǎng)、淀積會(huì)進(jìn)行很多次。二氧化硅薄膜成型的技術(shù)主要可分為物理氣相淀積(Physical、即0r Dcposition,PVD)與化學(xué)氣相淀積(Chcmical VaporDepo巒ioll,CVD)。物理氣相淀積技術(shù)是對(duì)欲沉積薄膜的材料源施加熱能或動(dòng)能,使之分解為原子或原子的集合體,并在晶圓表面結(jié)合或凝聚形成薄膜。物理氣相淀積技術(shù)分為電阻加熱蒸鍍法、電子槍蒸鍍法和濺鍍法三類。化學(xué)氣相淀積則是將反應(yīng)氣體導(dǎo)入高溫爐,用氣態(tài)的化學(xué)原料在晶圓表面產(chǎn)生某種化學(xué)作用,并在晶圓表面淀積一層薄膜。如圖⒈5所示是一套實(shí)現(xiàn)CVD I藝的集束型裝各。